应用工程师问答41——LDO的运行困境低裕量和最小负载.pdf

应用工程师问答41——LDO 的运行困境：低裕量和 最小负载 LDO 裕量及其对输出噪声和PSRR 的影响 作者：Glenn Morita 基于深亚微米工艺的最新千兆级模拟电路对电源电压的要求越 图2 显示了LDO 的框图。随着负载电流的增加，PMOS 调整元 来越低，在有些情况下，还不到1 V。这些高频电路往往需要较 件的增益会减小，它脱离饱和状态，进入三极工作区。结果使 大的供电电流，因此，可能在散热方面存在困难。设计目标之 总环路增益减小，导致 PSRR 下降。裕量电压越小，增益降幅 一是使功耗降至电路性能绝对需要的水平。 越大。随着裕量电压继续减小到一个点，此时，控制环路的增 益降至1，PSRR 降至0 dB。 开关模式DC-DC 转换器是最高效的电源，有些器件效率可超过 95% ，但其代价是电源噪声，通常在较宽带宽范围内都存在噪声 导致环路增益减小的另一个因素是通路中元件的电阻，包括FET 问题。通常用低压差线性调节器(LDO)清除供电轨中的噪声，但 的导通电阻、片内互连电阻和焊线电阻。可以根据压差推算出 也需要，在功耗和增加的系统热负荷之间做出权衡。为了缓解 该电阻。例如，采用WLCSP 封装的ADM7160 在200 mA 下的 这些问题，使用LDO 时，可使输入和输出电压之间存在较小的 最大压差为200 mV 。利用欧姆定律，调整元件的电阻约为1 Ω， 压差（裕量电压）本文旨在讨论低裕量电压对电源抑制和总输 可以把调整元件近似地当作固定电阻与可变电阻之和。 出噪声的影响。 流过该电阻的负载电流导致的压差减去FET 的漏极源极工作电 LDO 电源抑制与裕量 压。例如，在 1 Ω FET 条件下，200 mA 的负载电流会使漏极源 极电压下降200 mV 。在估算裕量为500 mV 或1 V 的LDO 的 LDO 电源抑制比(PSRR)与裕量电压相关——裕量电压指输入与 PSRR 时，必须考虑调整元件上的压差，因为调整 FET 的工作 输出电压之差。对于固定裕量电压，PSRR 随着负载电流的提高 电压实际上只有300 mV 或800 mV。 而降低，大负载电流和小裕量电压条件下尤其如此。图 1 所示 为 ADM7160 超低噪声、2.5 V 线性调节器在200 mA 负载电流 和200 mV 、300 mV 、500 mV 和1 V 裕量电压条件下的PSRR 。 随着裕量电压的减小，PSRR 也会减小，压差可能变得非常大。 例如，在 100 kHz 下，裕量电压从1 V 变为500 mV ，结果将使 PSRR 减少5 dB。然而，裕量电压的较小变化，从500 mV 变为 300 mV ，结果会导致PSRR 下降18 dB 以上。 图1. ADM7160 PSRR 与裕量 图2. 低压差调节器的框图 《模拟对话》48-09 ，2014年9月 /analogdialogue 1 容差对LDO 裕量的影响 图4 展示的是2.5 V ADM7160 在500 mV 裕量和100 mA 负载条 件下，相对于E3631A 台式电源的输出噪声，该台式电源在20 Hz 客户通常要求应用工程师帮助他们选择合适的 LDO ，以便在负