CVD生长机理的理论研究.docVIP

项目名称：石墨烯CVD生长机理的理论研究 （一）立项依据与研究内容（4000-8000字）： 项目的立项依据（研究意义、国内外研究现状及发展动态分析，需结合科学研究发展趋势来论述科学意义；或结合国民经济和社会发展中迫切需要解决的关键科技问题来论述其应用前景。附主要参考文献目录） 石墨烯（graphene），由碳原子六角结构(蜂窝状)紧密排列的二维单层石墨片。在这种原来认为不可能稳定存在的新型纳米结构中，人们发现了很多新颖的物理现象，譬如室温下的量子霍尔效应、低温下的反常量子霍尔效应等等。纯净的石墨烯具有非常高的机械强度（其强度可达 100 GPa）；其热传导率可以接近甚至高过金刚石（理论值达到 ~ 5000 watts/(m.K)）；载流子在石墨烯上的迁移率也远远超过传统的半导体，可达到106cm2/V[1]。石墨烯优良的物理化学性质，使得其成为最有潜力的多功能材料，其应用包括柔性电极、各种气体或压力传感器、超级电容器、透光电极、高强度复合材料以及晶体管集成电路等。 合成大量、高质量的石墨烯是应用石墨烯的前提条件。目前合成石墨烯最常用的实验方法包括：（i）机械剥离法或通称胶带法[2]；（ii）氧化石墨烯还原法[3]；（iii）离子或离子液体分解石墨法[4]；（iv）高温升华SiC单晶法[5]；（v）化学气象沉淀（CVD）法[6]。在以上各种方法中，方法（i）可以得到高质量的石墨烯，但石墨烯的质量和大小依赖于高定向石墨的质量，提升空间不大，尤其不大可能用来制备面积超大的石墨烯（例如几十个平方厘米以上的石墨烯片）。方法（ii）和（iii）通常可以获得大片的石墨烯，但通常会在石墨烯中形成各种各样的缺陷或吸附官能团，从而大大降低石墨烯的性能；而且，石墨的熔点高达4000度以上，在三维空间中极其柔软，所以不大可能像对三维块体材料那样，用加热退火的办法来去除这些缺陷。方法（iv）的主要缺陷是需要极高的温度（大约1500-2000度），而且SiC单晶样品价格过于昂贵；另外，由于SiC是共价键晶体，本身不具备催化C-C化学键发生结构转变的性能，所以稍低温度下制备的样品质量就会比较差[7]。 目前来讲，石墨烯制备最有前途的方法是使用过渡金属催化的化学气象沉积法。这种方法制备的石墨烯质量高，很多实验样品的Raman谱中几乎看不到缺陷峰（D band）[8]；制备方法简单，与制备碳纳米管的实验条件类似；大多数金属都可以有效地催化C-C化学键的断裂，组合以及旋转等，从而可以有效地修复样品中的缺陷，在较低温度下制备高质量的石墨烯样品。目前，利用这种方法，实验上已经制备出了面积达到1/4 平方米的单层石墨烯样品[6j]。 然而在上述各种制备石墨烯的方法中，尽管在70年代CVD方法就被用来制备单层石墨烯，但直到最近几年，才被广泛应用，人们对其原理和机制的了解也刚刚开始。实验上关于石墨烯CVD生长的文章呈爆炸式增长，国内有影响的工作包括大连化物所包信和、傅强 [9]和北京物理所高鸿钧等人的工作[10]。但目前的现状是石墨烯CVD生长的理论机制的探索远远落后于实验研究，目前发表的相关理论文章不到10篇，其中包括大陆学者中国科技大学的杨金龙、李震宇研究组[11]以及本课题项目参与者香港理工大学丁峰的研究工作[12]（相关文章已被JACS接收）。但是，仍有许多关键问题有待进一步的开展。譬如，i）目前有多达十几种金属，例如Cu, Co, Ni, Pd, Pt, Rh, Ru, Ir…，被用来作为石墨烯CVD生长的催化剂和衬底，哪一种是最好的？ii) 石墨烯在金属表面生长中的成核过程是怎样的？决定石墨烯生长的关键参数成核能以及核的形状和大小跟金属催化剂的关系如何？iii) CVD 生长中，石墨烯可以在温度较低的生长条件下达到很高的质量，这其中包括金属催化的石墨烯缺陷修复的过程，那么不同金属对于缺陷修复的催化作用如何？是否可以找到活性很高的金属，在更低温度下制备高质量的石墨烯，从而有效降低成本和对实验条件的要求？ iv）目前的研究发现，晶粒边界或晶界（domain wall 或grain boundary）是CVD石墨烯的重要缺陷。边界两面的晶格取向不同会影响石墨烯导电性、力学性能和化学性质的均匀性[13]。如何采用合适的实验手段来降低晶粒边界密度，从而获得高质量的石墨烯等等？然而，在现有的研究中，我们还无法找到对上述问题的答案。而对这些问题的回答必然会为石墨烯CVD制备提供丰富的理论指导。 综上所述，在较低温下大批量地制备高质量的石墨烯具有非常重要的科学意义。本课题拟结合第一性原理、经验和半经验的计算方法，结合分子动力学和过渡态理论，从原子层次上建立二维(2D)石墨烯CVD的微观模型和生长机理，从理论上寻找低温下大批量制备石墨烯的方法，并研究不同缺陷对石墨烯生长机