MS接触和肖特基极管.pptVIP

3. I-V特性 金属半导体结中的电流输运机制，不同于pn结中少数载流子决定电流的情况，而是主要取决于多数载流子。肖特基二极管的基本过程是电子运动通过势垒。这种现象可以通过热电子发射理论来解释。热电子发射现象基于势垒高度远大于k0T这一假定。 7.2 金属和半导体接触的整流理论 Js m是电子从半导体扩散到金属中的电流密度， Jm s是电子从金属扩散到半导体中的电流密度。 7.2 金属和半导体接触的整流理论 4.肖特基势垒二极管 和pn结二极管的比较 pn结二极管 肖特基 虽然J-V特性的形式非常相似，但反向饱和电流密度的公式有很大区别，两种器件的电流输运机构是不同的。pn结的电流是由少数载流子的扩散运动决定的，而肖特基势垒二极管中的电流是由多数载流子通过热电子发射跃过内建电势差而形成的。 JsTJS Figure 9.10 2. 两种二极管正偏时的特性也不同，肖特基二极管的 开启电压低于pn结二极管的有效开启电压。 3. 二者的频率响应特性，即开关特性不同。 pn结从正偏转向反偏时，由于正偏时积累的少数载流子不能立即消除，开关速度受到电荷存储效应的限制；肖特基势垒二极管，由于没有少数载流子存储，可以用于快速开关器件，开关时间在皮秒数量级，其开关速度受限于结电容和串联电阻相联系的RC延迟时间常数。工作频率可高达100GHz.而pn结的开关时间