半导体课后习题.docxVIP

dEdkdE2 dE dk dE2 ~d^k =O.U2E0[cos(to) + 3sin(to)] 1?1、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说 明之。 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（NEg）被激发到导带成为导电 电子的过程就是木征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子?空穴对。 如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激 发到导带中。 1?2、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高, 则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带 与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、 Si的禁带宽度具有负温度系数。 1?3、试指出空穴的主要特征。 解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的人量电子的集体运 动状态，是准粒子。主要特征如下： A、 荷正电：+q ； B、 空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n）； C、 EP二En D、 mP*=-mn*o 1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。 解:（1） Ge、Si： a） Eg （Si： 0K）=1.21eV； Eg （Ge： 0K）=1.170eV； b） 间接能隙结构； c） 禁带宽度Eg随温度增加而减小； （2） GaAs： a） Eg （300K） =1.428eV, Eg （0K）=1.522eV； b） 直接能隙结构； c） Eg 负温度系数特性：dEg/dT = -3.95X10-4eV/K； 1?5、某一维晶体的电子能带为 E（k） = Eo [1-0.1 cos（to） - 0.3sin（to）] 其屮E（）=3eV,晶格常数a=5xl0 Hmo求： （1） 能带宽度； （2） 能带底和能带顶的有效质量。 解：（1）由题意得： =O.kzEo[sin(to) 一 3 cos 伙d)] 令= 0,得fg Cka)=— dk 3 ??? k{a = 18.4349,込a = 198.4349 z//72 当k? = 18.4349,上厂=0. k2E0(cos 18.4349 + 3sin 18.4349) = 2.28x1 O40 0, dk 对应能带极小值； dF? 当％ = 198.4349,莎=0.1a2E0(cosl98.4349+ 3sin 198.4349) = -2.28xIO-40 0, 对应能带极大值。 则能带宽度△￡* = E max - Emin = 1.1384^V L J 一 1 -1 2.28 xlO-40 也丿带底一 h2 [d2k}_ _(6.625 xl0~34)2 ?] f dE2 Y -1 -2.28X1O-40 网丿带顶= {d2k}\ k. ￡ (6.625 x 10-34 J2 _ 则 = 1.925x10—27(蚣) =-1.925x10—27 (焰) 答：能带宽度约为1.1384EV,能带顶部电子的有效质量约为1.925xl027kg,能带 底部电子的有效质量约为-1.925x1027kg o 2?1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电 离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提 供电子或向价带提供空穴。 2?2、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出n型半导体。 解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提 供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主 电离。施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P, P为V族元素， 本征半导体Si为IV族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有四个与Si的最外 层四个电子配对成为共价电子，而P的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实 的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离n型半导体的能带图如图 所示：其费米能级位于禁带上方 舉 Ec Ef Ef Ev Ev Ev 2?3、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之, 并用能带图表征岀p型半导体。 解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带 提供空g,这种杂质就叫受主。受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫 受主电离。 受主电离前带不带电，电离后带负电。例如，在Si中掺B, B为III族元素, 而本征半导体Si为IV族元素，P掺入B中后，B的最外层三个电子与Si的最外 层四个电子配对成为共价电子，而B倾向于接受一个由价带热激发的电