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第一篇 半导体中的电子状态习题 1?1、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说 明之。 1?2、 1-2. 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1?3、 试指出空穴的主要特征。 4.简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。 5.某一维晶体的电子能带为 E(k) = ￡0[1 - 0.1 cos 伙d)-0.3 sin 伙d)] 其屮E0=3eV,晶格常数a=5xl0-11mo求： (1)能带宽度； (2)能带底和能带顶的有效质量。 题解: 1?1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量($EQ被激发到导带成 为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体屮出现成对的电子? 空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有 更多的电子被激发到导带中。 1-2.解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温 度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变 宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁 带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。 1?3、解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用來描述半满带屮的大量电子的 集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A、 荷正电：+q； B、 空穴浓度表示为p (电子浓度表示为n)； C、 Ep=-En D、 mp*=-mn*o 1-4.解： Ge、Si: Eg (Si： 0K) = 1.21eV； Eg (Ge： 0K)= 1.170eV； 间接能隙结构c)禁带宽度Eg随温度增加而减小； GaAs： Eg (300K) = 1.428eV, Eg (OK) = 1.522eV； 直接能隙结构； Eg 负温度系数特性：dEg/dT = -3.95X10-4eV/K； 1-5.解: dE~dk(1) dE ~dk dE1~d^k=0. laEo[sin dE1~d^k =0. kz2E0[cos(fcz) + 3sin(faz)] 1 令=0,得Tg (ka)= dk 3 ；? k\d = 14349°北2。= 198.4349 亦2 当加=18.4349°, 2 = 0.1a2E0(cosl8.4349 + 3sinl8.4349) = 2.28xW40 0, d_k 当込g = 198.4349°, 当込g = 198.4349°,《2 2 d2k =0.1672E0(cos 198.4349 + 3sin 198.4349) = -2.28x10° 0, 对应能带极大值。 则能带宽度 A￡ = E max- Emin = 1.1384^V (2) (7 1 xaa 1 — 1 (dE2 — -1 MM 2.28 X1O-40 Vnn丿带底一 _h2 3丿 一 _(6.625 X10-34)2 (A ~ I r dE2 — -1 -2.28X1O40 0”丿带顶= h2 M丿 — *2 (6.625 xlO-34)2 = 1.925x10_27(^) = -1.925x10切(弦) 答：能带宽度约为1.1384EV,能带顶部电子的有效质量约为1.925xl027kg,能带 底部电子的有效质量约为-1.925xl0-27kgo 第二篇 半导体中的杂质和缺陷能级习题 2?1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2.什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出n型半导体。 3.什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出p型半导体。 2-4.掺杂半导体与本征半导体Z间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电 性能的影响。 2-5＞两性杂质和其它杂质有何异同？ 2-6＞深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 2-7.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 题解： 2?1、解：浅能级朵质是指其朵质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。 它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子， 并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2-2.解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向 导带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心） 的过程就叫施主电离。 施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P, P为V族元素, 本征半导体Si为IV族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有四个与 Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而P的第五个外层电子将受 到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主 电离° n型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带上方 Ec Ef Ev 2-3＞解：半导体中掺入受主杂质后，受主电