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计划类别： 科技支撑计划--工业部分 指南代码： XXXX 申报 ID号： 项目类别： 江苏省科技计划项目申报书 （范本） ( 科技支撑计划--工业部分 ) 项目名称： 120lm/w 大功率 LED封装技术研发 承担单位： XXXXXXX 有限公司 所在地区： 常州市,常州高新技术产业开发区 单位地址： XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX 邮政编码： 213000 项目负责人： XXX 电话： XXXXXXXXX 主管部门： 常州高新技术产业开发区科技局 申报日期： 2010年03 月 20日 江苏省科学技术厅 二○一○年 一、立项依据 1、本项目国内外科技创新发展概况和最新发展趋势 （１）国内大功率 LED 封装技术 国内大功率LED 的封装，早在上世纪九十年代就开始，一些有实 力的后封装企业如佛山国星，当时就开始开发如“食人鱼”等大功率 LED 产品，但封装企业投入研发的力度包括人力和财力还很不够，形 成国内对封装技术的开发力量薄弱，其封装的技术水平与国外相比还 有一部分差距，目前国内包括台湾地区大功率 LED 封装水平发光效率 在 70lm/w—90lm/w 之间，主要存在色温一致性差、LED CIE 空间分 布不匀均、带黄圈现象、热阻太高无法提升电流密度等问题。 （２）国外大功率 LED 封装技术 大功率 LED 是未来的核心部分，所以世界各大公司投入很大力 量，对大功率封装技术进行研究开发，并均已将所得的新结构、新技 术等申请各种专利。 德国Osram公司于2003年推出大功率LED产品“Golden Dragon”， 其结构特点是热沉与金属直接接触，具有很好散性能。目前Osram 最 新一代产品为OSTAR 系列。 美国 LED 大厂 Cree 于 2008 年 10 月发布大功率 LED 最新产品 XLAMP 系列其发光效率平均值在 90lm/w，Cree 近期宣布,其白光 LED 产品可以实现每瓦 131 流明的性能,该产品已经通过美国国家标准局 (NIST)的测试，其在向美国专利商标局(USPTO)申请的 20080272386 号专利，内容是使用激光剥削或切削(laserablationorsawing)技术 直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋转涂布法 将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中，在凹槽间形成一 个凸面桥，这个方法可以让白光LED 变得更小、更容易制造。 2、本项目研究的目的、意义 （１）研究目的 目前国内包括台湾地区大功率 LED 封装水平发光效率在 70lm/w~90lm/w 之间，主要存在问题为LED CIE 空间分布不匀均，带 黄圈现象，热阻太高无法提升电流密度。通过本项目实施使大功率 LED 的发光效率达到120lm/w 以上，减少热阻提升大功率LED 电流密 度，单颗 LED 可承受电流达 1000m A以上，发光效率超过韩国首尔半 导体及台湾地区，达到美国 CREE、德国OSRAM同一水平。 （２）研究意义 项目完成后，大功率LED 发光效率超过韩国首尔半导体及台湾地 区，达到美国 CREE、德国 OSRAM 同一水平，促进我国 LED 研发向高 端技术发展，有力提升 LED 行业及企业国际竞争力。 3、本项目研究现有起点科技水平及已存在的知识产权情况 目前已完成ＸＸＸＸＸＸＸＸＸ试验，并已申报“XXXXXXXX”发 明专利 1 项；完成了 XXXXXX 的开发，