方位角方向磁场含.pptVIP

方位角方向磁場を含めた光学的に厚いブラックホール降着円盤の定常解 小田　寛 （千葉大） 町田真美（国立天文台）、中村賢仁（松江高専）、松元亮治（千葉大） BHCのX線スペクトル状態遷移 光学的に薄い磁気圧優勢解（前回の年会） 方位角方向磁場を考慮して一次元軸対称定常解を求めた 二温度プラズマ 放射冷却として制動放射、シンクロトロン放射、逆コンプトン散乱の効果を考慮 磁気加熱と放射冷却が釣り合う磁気圧優勢解 基礎方程式（一次元定常軸対称、基本的に前回と一緒） エネルギー式 結果：熱平衡曲線 z=0.5(強磁場）の場合 考察：光度（降着率）変化とX線スペクトル状態遷移 まとめ 方位角方向磁場を含めて一温度プラズマ、一次元軸対称定常解を求めた ガス圧、磁気圧に加え放射圧を考慮し、放射冷却も光学的に薄い領域から厚い領域で扱えるものに拡張（ただしシンクロトロン、逆コンプトンは考慮せず） 光学的に薄い磁気圧優勢解と滑らかにつながる光学的に厚い磁気圧優勢解が得られた L/H→VH/SPL→H/S遷移を説明できる 光学的に厚く熱的に安定な円盤が、標準円盤より高い降着率まで存在できる Slim円盤減光時に磁気圧優勢解に乗ると思われるが、そのような観測結果はある？ （園部の修論によるとあるらしい） z=-1.5(極弱磁場）の場合 z=0（弱磁場）の場合 z=1.0(極強磁場）の場合 磁束降着率について グローバル解の場合 外部境界条件を設定 シューティング法で遷音速解を求める →磁束降着率の半径依存性は重要 ローカル解の場合 　　　を決めるために外部境界条件を一応設定するが… 求める半径での、垂直方向積分した磁場の強さ（　　）を与えているに過ぎない。（※ただしβを与えているわけではない！） （同じ　　　でもHが大きければガス圧優勢だし、Hが小さければ磁気圧優勢になる。 * * * 表面密度 質量降着率 α=0.1 Abramowicz et al. 1995 ADAF SLE 標準円盤 Slim 光学的に薄い　　　　　　　　　　　　厚い 前回の年会 光学的に薄い 磁気圧優勢解 ADAF Low-b 今回の発表 光学的に厚い場合 に拡張 Slim ADAF Low-b ?Rob Hynes MJD Hardness Hard Soft 明 暗 0.2LEdd Gierlinski Newton 2006 Low/Hard High/Soft VeryHigh/ SteepPowerLaw 表面密度　 質量降着率 α=0.1 Abramowicz et al. 1995 ADAF SLE 標準円盤　 Slim 光学的に薄い　　　　　　　　　　　　　厚い 光学的に薄い円盤　 Hard X-ray 光学的に厚い円盤　 Soft X-ray ? ADAFでは 0.2LEdd以上/Hardの 状態を説明できない VH/SPLに対応する 　平衡状態は？ ? ←Brems.-Comp.が支配的　 　　SPL？ ? ADAF　 Low-b SLE　 光学的に厚い領域　 今回は 光学的に厚い場合も 扱えるように拡張 ただし簡単のため 一温度プラズマで シンクロトロン 逆コンプトンは 考慮しない 質量保存 角運動量保存 エネルギー式 円筒座標 Z方向に静水圧平衡、N=3 のポリトロープ 表面密度： Ｚ方向積分した圧力： 円盤の半分の厚さ： 磁束降着率を以下のように仮定 BH Fluxはそのまま降着 （理想MHDの 　誘導方程式と同等） 　　は中心ほど大 ∵磁場が中心ほど 折れ曲がって増幅 と仮定(net fluxは保存） ケプラー回転を仮定： 粘性パラメータ：α=0.05 （Machida et al. 06　の３DMHDではζ~1) の局所的な解 Disk 粘性加熱　 移流冷却　 BH 放射冷却　 Abramowicz et al. 1996 Entropy gradient parameter : x=1 z=-1.5 磁場：極弱 z=0.5 磁場：強 z=0 磁場：弱 ADAF SLE Low-b 標準円盤　 Slim Low-b a=0.05 ADAF SLE Low-b 標準円盤　 Slim 温度　 Q+Q- Q+Q- Wgas Wmag Wrad Qadv Qrad 圧力　 冷却率　 光学的厚さ　 Wrad Qadv Wmag Qrad Wgas Qadv Wmag a=0.05 ADAF SLE Low-b 標準円盤　 Sl