第三讲软开关型电力变换器(1).pptVIP

3.1 硬开关的开通、关断过程及安全工作区 ? Lf大，开关过程中if Io不变 ? 开通：断态（A）→通态（C） rT从∞ →0，iT从0线性上升至Io， vT从VD↘0 ? 关断：通态（C）→断态（A） rT从0→∞，iT从Io线性下降至0， vT从0↗VD 3.1 硬开关开通、关断过程及安全工作区（续1） 无串联电感时： ? 开通过程:ABC(高压下电流上升:AB(tri) 负载电流下电压下降BC (tfv) ） ? 关断过程:CBA(负载电流下电压上升:CB(trv)，高压下电流下降:BA(tfi)） 有串联电感时： 开通过程AQEC，比ABC好 关断过程CBHPA，比CBA差 3.1.1 线路电感Lσ=0时开关器件开通关断过程 3.1.1 线路电感Lσ=0时开关器件开通关断过程(续1) 3.1.1 线路电感Lσ =0时开关器件开通关断过程(续2) 开通电流iT上升期：iT=Iot/tri 关断电流iT下降期：iT=Io(1-t/tfi) 若认为vT在开通关断过程中也呈线性变化在则： 3.1.2 线路电感Lσ≠ 0时开通、关断过程 3.1.2 线路电感Lσ≠ 0时开通、关断过程(续1) 关断：通态时vT=0，iT=Io，工作点为C，撤除VG后，rT↑，vT↑，在trv期间vT↗VD前，D仍反偏截止，iT=Io，工作点从C→B 此后rT↑，一旦vTVD时，D导电，iT线性减小，vT= VD －LσdiT/dt=VD+LσIo/tfi=VCEP， 工作点立即从B→ H ，在iT 从Io ↘ 0期间工作点从H→P，一旦iT=0，工作点从P→A(iT=0，VT=VD) 有Lσ时，关断过程CBHPA，比Lσ =0时CBA差 3.1.2 线路电感Lσ≠ 0时开通、关断过程(续2) 3.1.3 安全工作区 Lσ=0时，开通轨迹ABC，关断轨迹CBA Lσ≠ 0时，开通轨迹AQEC，关断轨迹CBHPA Lσ改善了开通轨迹，恶化了关断轨迹 安全工作区： vTVCEO，KJ线左侧 iTICM，NM线下方 Pt= vT ×iT，功率限制线左下侧 3.2 引入L、C缓冲电路的软开关3.2.1 全控型开关管LCRD复合缓冲器 缓冲电路由Ls、Cs、Ds、Rs组成，T表示全控型开关管GTO、BJT、IGBT、P-MOS。 串联电感Ls用于开通缓冲vT，类似于线路电感Lσ≠ 0时的开通过程，开通轨迹为图2.3(b)中的AQEC，开通时iT↑，使vT =VD-LσdiT/dt=VD-LσIo/tri=VQVD 3.2.1 全控型开关管LCRD复合缓冲器(续1) 并联电容Cs用于关断缓冲vT 关断T时，rT↑， vT =rT×iT↑，在vT VD时，D0仍反偏截止。iL=iT+iC ?Io不变，iT=Io(1-t/tfi)下降，iC=Iot/tfi上升， vc= vT充电上升。若在tfi期间，iT→0，iC→Io，使 3.2.1 全控型开关管LCRD复合缓冲器(续2) 3.2.1 全控型开关管LCRD复合缓冲器(续3) 例题3.1(Book P.254) BUCK DC/DC变换器VD=200V，Io=10A，Vo=100V，fs=20KHz，Po=1KW。tri=tfr=tfi=trv=0.75μs，Ls=3μH，Cs取为临界关断电容，Rs=40Ω， 求开关损耗并画出开关轨迹。 解：无缓冲电路时，Pon=37.5W，Poff=37.5W 临界关断缓冲电容Cs=0.01875μF 计算得：有复合缓冲器电路时，VCEP=300V，比VD高50％ VQ=160V，只比VD小20％ P’off=3.125WPoff=37.5W p’on=30W，仅比Pon小20％ 3.2.2 电力二极管、晶闸管的RC缓冲器 由上例，串联电感Ls(开通缓冲)对减少开通损耗作用不大，同时Ls使关