Q_HBDH01-2018化学机械抛光垫.pdf

备案号： Q/HBDH 湖北鼎汇微电子材料有限公司企业标准 Q/HBDH 01-2018 化学机械抛光垫 Chemical Mechanical Polishing Pad 2018-11-01 发布 2018-11-01 实施 湖北鼎汇微电子材料有限公司 发布 Q/HBDH 01-2018 前 言 在超大规模集成电路制造中会使用到一种全局平坦化的化学机械抛光工艺（CMP ），该工艺通过化学 机械抛光垫和抛光液的组合，去除晶圆表面多余的材料以达到全局平坦化的目的。抛光垫中抛光层是由聚 氨酯材料合成，通过双面胶粘合下层缓冲层，以实现化学机械抛光工艺中对于晶圆表面材质去除速率、平 坦性、缺陷等严苛要求。 随着半导体产业的发展，集成电路 CMP 工艺越来越关键，化学机械抛光垫成为晶圆制造过程中占比 越来越大的关键耗材。 目前国内只有少数可以提供聚氨酯抛光垫的厂家，但技术标准不一，制造方法也各有不同，消费者对抛光 垫的性能要求越来越高。化学机械抛光垫尚无相对应的国家标准和行业标准，为了使产品在生产、使用和 质量检验方面有共同的技术手法和依据，为了贯彻执行标准化法，本公司于 2017 年首次提出并编制化学 机械研磨垫片的企业标准。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不应承担识别这些专利的责任。 本标准按GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准起草单位：湖北鼎汇微电子材料有限公司 本标准主要起草人：刘敏 黄云鹏 梅黎黎 本标准于 2018 年11月 01日首次发布。 Q/HBDH 01-2018 化学机械抛光垫 1 范围