半导体照明技术：第五章 半导体发光材料体系.pptVIP

第五章 半导体发光材料体系 5.0 半导体发光材料的条件 成为半导体发光材料的条件： 高质量的单晶材料。要求缺陷密度低，以III-V族材料为主 半导体带隙与可见和紫外光子能量相匹配 直接带隙半导体。具有较高的辐射复合概率 可形成N、P型材料，可制备异质结构和量子阱结构。 5.1 砷化镓 GaAs为闪纤矿结构，直接带隙半导体，带隙宽度1.42eV 缺陷主要是位错和化学计量比偏离造成的缺陷。镓空位对发光效率的影响很大，氧和铜是重要的有害杂质。 液相外延时，高温下Si占据Ga形成施主，低温下Si占据As形成受主，发光峰值为940nm。 5.2 磷化镓 5.2 磷化镓 5.3 磷砷化镓 GaAs1-xPx是由GaAs和GaP组成的固溶体。在室温下，x0.45时为直接跃迁型，x0.45时，间接跃迁，效率大幅度下降。 GaAs0.6P0.4峰值波长650nm 5.3 磷砷化镓 GaAs1-xPx的外量子效率随x增加而减小，辐射波长随x变短，相对视见函数增加，使亮度增大，最佳值为x=0.4，峰值波长650~660nm 5.3 磷砷化镓 在GaAs衬底上生长GaAs0.6P0.4，晶格失配为1.5%，须要生长组分渐变的过渡层。 5.4 镓铝砷 Ga1-xAlxAs是GaAs和AlAs的固溶体。在x=0.35时由直接跃迁变