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化学浴沉积法制备金属氧化物薄膜
R.S. Mane, C.D. Lokhande
薄膜物理实验室,印度希瓦吉大学,Kolhapur416004,
收到1999年7月22日,经修订的表格1999年12月28日收到;
接受2000年1月3日。
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摘要
由化学方法制备金属氧化物薄膜的方法目前受到很大的关注,它相对因为这些是避免基体的氧化和侵蚀的低温程序,很多的基体,像是绝缘体、半导体或金属,能被利用。这些是用改良的晶粒组织促进晶体较好的定方位的缓慢的过程。根据沉积条件的不同,膜的生长可以采取离子对基材的材料凝结或从底物上的胶体粒子吸附的地方。使用这些方法, = 2 \* ROMAN II- = 6 \* ROMAN VI, = 5 \* ROMAN V- = 6 \* ROMAN VI, = 3 \* ROMAN III- = 6 \* ROMAN VI的薄膜等已沉积出来。太阳能选择性涂层,太阳能控制,光电导,固态及光电太阳能电池,光学成像,全息图记录,光大容量存储器等都是金属硫薄膜的一些应用。在本综述中,我们有详细的介绍,化学浴金属硫系薄膜沉积法,它有高产优质薄膜的能力。他们的制备参数,结构,光学,电学性能等进行了描述。我们还讨论了化学浴沉积法制备薄膜的理论背景。
关键词:金属硫族化合物薄膜、薄固体、化学浴沉积
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1 简介
薄膜材料在不同的领域有很多应用。他们有些是A.R.涂料、干扰滤波器、 polarisers,狭带滤波器、日光电池,光导体, photoconductors,探测器,波导涂料,卫星的温度控制,光热太阳能涂层例如黑铬,镍,钴,等等。磁性薄膜,超导体薄膜,抗腐蚀薄膜,微电子设备,菱形薄膜,通过涂层或表面改性减少fabrication等等,取向附生和异质结构薄膜 ,耐高温薄膜,硬质涂层等。薄膜设备的快速发展有助于发展独石和混合微电子的集成电路,硫化物薄膜有助于大面积的光电二极管阵列、太阳能选择涂料、太阳能电池、photoconductor、传感器等的制备。通过真空蒸发,喷溅,以及化学方法例如化学蒸汽沉积,喷雾高温分解,电沉积,阳极化处理,无电镀电转换,浸增长,连续的离子吸附和反应,化学浴沉积,溶解气接口技术是众所周知的。
CBD就是在溶液中生长,控制析出,或简单的化学沉积,最近被用作金属氧化物薄膜的沉积。它在液相中,是良好化学的蒸气沉积在气相的类似物。反应发生在溶解的初期,通常在较低温度下的水溶液中。硫脲,硫代乙酰胺,硫代硫酸盐,钠硫化物通常被用作硫化物初级形式,金属的前体是氨配体与金属离子络合。
有趣的是注意到,CBD和喷雾热分解硫化物沉积法的相似的地方是采用相同在溶剂中分散的前体(硫脲和硫代乙酰胺和金属盐类)的使用。在CBD中,溶液化学让自发的液相反应成为可能,而喷雾热分解法由于不同的溶液化学,反应需要更高的温度处理,因此发生在气相阶段。
CBD目前吸引了很多的关注,它不需要复杂的仪器比如蒸汽系统和其他昂贵的设备。简单的设备例如带有磁石搅拌器的热板是不可或缺的。原料普遍便宜来源广。通过CBDS,很多基体能被一个适当的单次运行的设计所复盖。 基体的导电系数是不必需的。溶液能得到的任何不溶的表面将成为沉积的合适的衬底。低温沉积避免了氧化和金属基体的腐蚀。化学沉积导致了pin hole free,一律的沉积很容易获得因为基本的砌块是离子而非原子。准备的参数容易控制、比较好的定方位,而且改良的晶粒组织能被获得。文献中出现了很多讨论CBD的地位的评论文章。
溶液中固相的形成包括两个阶段:成核和生长。固相颗粒的大小取决于这两个过程发生的速率。对于任何沉淀,有很少一部分的离子或分子在于溶液接触过程中产生了稳定的相,被称作核心。晶核的形成对沉淀洗出是很重要的。溶液中核的概念是形成分子团簇进行快速分解和粒子结合起来,长大了一定厚度的薄膜,取决于沉积条件例如水浴温度,搅拌速率,PH,溶液的浓度等等。薄膜的生长发生在原料的离子-离子凝聚或基体上的溶液中胶质点的吸附作用。使用CBD, ,很多的二元硫化物例如CdS, CdSe, Bi2S3, Bi2 Se3, PbS,PbSe,As2S3, Sb2S3, Ag2S, CuS, ZnS等等,以及三元硫化物例如CdZn
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