第二章蒸发法薄膜制备.pptVIP

第二章、真空蒸发镀膜 1.真空蒸发原理 2.蒸发特性及膜厚分布 3.蒸发源的类型 4.合金及化合物的蒸发 5.膜厚和淀积速率的测量与监控 物理气相沉积 特点（与CVD相比） 1.真空蒸发原理 ①定义：简称真空蒸镀，在真空腔室中加热原材料，使其以原子或者分子的形式逸出（熔化升华），形成蒸气流，入射到基片表面并凝结成连续薄膜的方法。 真空蒸发的过程 1.真空蒸发原理——决定因素① ①饱和蒸气压：气—液平衡称为饱和，饱和状态的气体与液体分别称为饱和气体与饱和液体，该状态下的压力称为饱和蒸气压。 ?蒸气压方程—控制温度与压强 Step1：克拉伯龙——克劳修斯方程 1.真空蒸发原理——决定因素② ②蒸发速率：单位面积上，单位时间内从气相到达固相表面并能够停留的分子数。 ?以质量表示的最大蒸发速率 ?温度变化对蒸发速率的影响 1.真空蒸发原理——决定因素③ 决定因素③蒸气分子平均自由程与碰撞几率 2.真空蒸发制膜的纯度 残余气体杂质浓度公式 3.蒸发制膜的厚度分布及蒸发源特性 ●假设： 1蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞； 2在蒸发源附近的蒸发原子间也不发生碰撞 3蒸发原子到达基板上后不发生再蒸发现象 (1)点蒸发源膜厚分布 源—基距、基片尺寸对膜厚分布的影响 (2)小平面蒸发源的膜厚分布 课堂思考 5. 蒸发源的类型 最常用的加热方式： 电阻法、 电子束法、 高频感应 激光