MOS集成电路的基本制造.pptVIP

在硅衬底上制作MOS晶体管 自对准工艺 在有源区上覆盖一层薄氧化层 淀积多晶硅，用多晶硅栅极版图刻蚀多晶硅 以多晶硅栅极图形为掩膜板，刻蚀氧化膜 离子注入 完整的简单MOS晶体管结构 有源区 Example: Intel 0.25 micron Process Interconnect Impact on Chip 深亚微米CMOS晶体管结构 BiCMOS工艺分类 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 8 8 8 8 8 8 8 8 8 3 9 9 9 9 9 9 9 9 9 4 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 11 11 11 11 11 11 11 11 11 6 12 12 12 12 12 12 12 12 12 7 13 13 13 13 13 13 13 13 13 8 功耗 驱动能力 CMOS 双极型 Bi-CMOS BiCMOS集成电路工艺 NPN晶体管电流增益小； 集电极的串联电阻很大; NPN管C极只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用 NPN具有较薄的基区，提高了其性能； N阱使得NPN管C极与衬底隔开，可根据电路需要接电位 集电极串联电阻还是太大，影响双极器件的驱动能力 在现有N阱C