数字集成电路基本单元与.pptVIP

闪存单元的等效耦合电容电路（续） 用VT (FG)代替式(9.26)中的VFG并整理可得到导通控制栅晶体管的最小控制栅极电压(VCG)如下： 其中，VT (FG)为导通浮栅晶体管的阈值电压。同样，两种数据存储状态(“0”和“l”)的阈值电压差可表示为： * 控制栅压具有低和高阈值电压的闪存单元的I-V特性曲线 * 思考题 1．画出CMOS标准反相器的电路图和版图。 2．画出二输入CMOS与非门和或非门的电路图和版图。 3．负载为大尺寸器件时，如何考虑前级电路的驱动能力？ 4．列出CMOS存储器的分类和各自的特点。 * * 在分析CMOS反相器的特性时，注意如下事实： 在电路中，PMOS和NMOS地位对等，功能互补 它们都是驱动管，都是有源开关，部分的互为负载： 它们都是增强型 MOSFET； 对输入和输出信号而言，PMOS和NMOS是并联的。 在直流电路上，PMOS和NMOS串联连接在Vdd 和地之间，因而有 Vdsn - Vdsp = Vdd Idsn从NMOS的d流向s，是正值, Idsp从PMOS的d流向s，是负值。 * 如果?n=?p，且有 Vtn= -Vtp，则有 Vi = Vdd/2 但是，?n ? (2-3) ?p，所以应有 Wp/Lp ? 2.5 Wn/Ln 由?n=?p，Vtn= -Vtp和Vi = Vdd