第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论1.pptVIP

此為閘極控制電流的能力 通道電導 和傳導係數 （Transconductance） 在線性區通道電導 gD 和傳導係數 gm為： 在飽和區： 由MOSFET尺寸的設計，可獲得所需之gm 次臨限區(Subthreshold region) 當閘極電壓低於臨限電壓而半導體表面只稍微反轉時，理想上汲極電流應為零。 實際上仍有汲極電流，稱為次臨限電流(subthreshold current) 。 MOSFET做為開關使用時，次臨限區特別重要，可看出開關是如何打開及關掉。 次臨限區 電壓條件： VGS≦VT 時 現象：ID≠0 次臨限區（續） 聚積狀態：源極電子要克服很大的位障才能到達汲極。 弱反轉狀態：源極電子到達汲極要克服的位障比較小。 強反轉狀態：源極電子到達汲極要克服的位障很小，好像歐姆接觸。 次臨限區（續） 在此區電流主要是擴散電流而不是飄移電流，與載子濃度梯度有關，故電流關係式中有指數項： 因 定義次臨界擺幅(subthreshold swing)： S越大，表示ID隨VG的變化越小，on-off特性不明顯；S越小，表示ID隨VG的變化越大，on-off特性顯著。 ~介面陷住電荷Qit~ (interface trapped charge) 產生原因： 起因於Si-SiO2介面的不連續性及介面上的未飽和鍵。通常Qit的大小與