哈尔滨工业大学传感技术课程课件(3)-2016最新版.ppt

压阻效应 半导体材料受到外力作用时其电阻率会发生变化，这一现象称之为压阻效应。 电阻率的相对变化： 工作原理 基于应变效应：导体或半导体材料在外界力作用下产生机械变形时，其电阻值相应发生变化的现象。 金属电阻丝未受力时的原始电阻值: 受到拉力F作用时，将伸长dl， 横截面积相应减小dA，电阻率改变d?，从而引起电阻值对变化量为: 相对变化： 对圆柱体 径向应变与轴向应变的关系可用泊松系数 表示： 轴向应变 压电效应 外力沿压电材料特定晶向作用使晶体产生形变，在相应的晶面上将产生电荷，去掉外力后压电材料又重回不带电状态。这种由外力作用产生形变而不是电场作用而产生电极化的现象叫正压电效应， 正压电效应是可逆的。在压电材料特定晶向施加电场时，不仅有极化现象发生，还将产生机械形变。去掉电场，应力和形变也随之消失，这种现象称作逆压电效应。 * 式中 分别为垂直x, y, z方向的晶面上的电荷密度； 为作用在x, y, z方向上的应力，规定拉应力为正，压应力为负； 为剪切应力，规定为按右手螺旋定则确定，又可写成 。 磁致伸缩效应与压磁效应 磁致伸缩效应 在外磁场作用下，磁偶极矩变化使磁畴之间的界限发生变化，晶界发生位移，从而产生机械形变。 铁磁材料在外力作用下，应力引起应变，使磁畴之间的界限发生变化，晶界发生位移，导致磁偶极矩变化，从而使材料的磁化强度发生变化。这种应力改变铁磁材料磁化强度的现象称作压磁效应。 压磁效应表现为: 受压应力时，在力作用方向上磁导率减小；垂直作用力方向上磁导率增大。 受拉应力时情况则相反，即在力作用方向上磁导率增大；垂直作用力方向上磁导率减小。 当外作用力消失后，磁导率恢复原值。 磁电效应 根据法拉第电磁感应定律，匝数为N的线圈在磁场中作切割磁力线运动，或线圈所在磁场的磁通量变化时，线圈中所产生的感应电动势e的大小取决于穿过线圈的磁通量 对时间t的变化率，即： 霍尔效应 将长?宽?厚为l ?b ?d 的导体或半导体薄片置于均匀磁场B中，沿薄片长度l方向通入控制电流I时，将在宽度b方向上产生一个强度为EH横向电场，称作霍尔电场，相应的产生的电势VH为霍尔电势，这种现象为霍尔效应 要使薄片具有较高的RH和KH，需要较小的n和较小的d。半导体材料具有较小的载流子浓度n，所以其霍尔效应比金属导体显著。而d小的要求决定了薄片具有更强的霍尔效应，所以霍尔元件都较薄。 磁阻效应 半导体磁阻效应 物理磁阻效应 通有电流的长方形半导体晶片受到与电流方向垂直的磁场作用时，会出现电流密度下降、电阻率增大的现象。 几何磁阻效应 这种电阻值的增大程度与所选长方形半导体晶片的几何尺寸有着密切的关系，这种现象称作几何磁阻效应。 光电效应 物质在光照作用下释放电子的现象称为光电效应。释放的电子叫光电子，光电子在外电场作用下所的形成电流叫光电流。 由实验发现的光电效应的规律是: 光电流大小与入射光频率有关，当入射光频率低于某一极限频率时，将不产生光电效应。 只有当入射光频率高于极限频率时，光电流的大小才与入射光强度成正比。 外光电效应 金属在光照射下光电子逸出金属表面的现象称作外光电效应。 光电子逸出金属表面需作功克服表面势垒，称作逸出功，才能逸出金属表面产生电子发射。 内光电效应 物体受到光照时，其内部原子释放的电子留在物体内部的现象叫内光电效应。 光导效应 光照射产生的光电子使半导体材料电导率增加的现象称为光导效应。 光伏效应 也叫光生伏特效应，物体在光的照射下产生一定方向的电动势的现象。 热电效应 把两种不同金属或半导体串接成闭合回路，当两结点处温度不同时，在回路中将产生热电动势。这种由温差产生热电势的现象称作热电效应，也叫塞贝克效应。 温差产生的热电动势有由两种电势共同组成 一种是两种不同金属（或半导体）材料的接触电势， 另一种是同一种材料的温差电势。 帕耳帖效应 热电效应的逆效应，当电流流过两种不同金属或半导体串接成闭合回路时，一结点处变热（吸热），另一结点处变冷（放热）。 为帕耳帖系数 热释电效应 热释电效应 在既无外电场也无外力作用时，电石、水晶等晶体材料受温度变化的影响，其晶格的原子排列发生变化，也能产生自发极化。 由于大气中浮游电荷吸附在材料表面上，热释电效应中自发极化产生的电荷会很快被大气中浮游电荷中和，要保证产生电荷的连续性，就要有周期性变化的热源。 利用热释电效应做红外敏感器件，将物体辐射的红外线做热源，采用周期性遮光调制，从红外热源持续获得交变红外线辐射，产生热释电荷，可以完成非接触式温度检测。 电光效应 物质的光学特性（如折射率）受外电场影响而发生变化的现象统称为电光效应。 泡克耳斯效应（Pockels ） 平面偏振光沿着处在外电场内的压