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激光与光电子学进展
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５５ ０４１６０１２０１８ C２０１８ 中国激光 杂志社
LaserOtoelectronicsProress ○
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二维GaAs电子结构和光学性质的理论计算
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褚玉金 张晋敏 高廷红 田泽安 梁永超 陈茜 黄忠念 谢泉
,
贵州大学大数据与信息工程学院 贵州 贵阳 ５５００２５
, ,
摘要 采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论 验证了二维 类石墨烯结构的稳定性 计算了
GaAs
、 . , ,
二维 GaAs的基态电子结构 态密度和光学性质参数 结果表明 不同于三维 GaAs二维 GaAs最高的两个能带相
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互交叠 显示出金属性 维度的降低使得 的 态和 态电子相互作用增强 产生较多的态密度峰 且峰位向低能
As s p
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方向移动 低能带主要由 态 态和 态构成 高能带主要由 态和 态构成 二维 静态介
GaＧd AsＧs AsＧ AsＧs AsＧ GaAs
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电常数为 对紫外光具有较强的吸收作用 在光子能量 和 范围表现出金属反射
３．６７ ３．９０~４．７１eV ５．６９~６．９０eV
特性.
; ; ; ; ;
关键词 材料 纳米材料 二维 第一性原理 电子结构 光学性质
GaAs
中图分类号 ; ; ; 文献标识码 : /
O４８１．１ O４８２．３ O４７１．５ O４７２．３ A doi１０．３７８８LOP５５．０４１６０１
TheoreticalCalculationofElectronicStructureandO ticalProertiesof
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TwoＧDimensionalGaAs
Chu
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