第9章 单晶硅的制备.pptVIP

第九章 单晶硅的制备  9.1 单晶硅基础知识 （1）晶体的熔化与凝固 晶体在缓慢加热和冷却过程中，有个温度平台，有固定的结晶（熔化温度），但非晶体没有。 硅的熔点：1416±4℃ 熔化热（结晶潜热）：12.1Kcal/mol (Cp.m=20 kJ mol-1k-1) 升温曲线的物理化学过程变化（熔化）：升温----晶体保持原有结构（对称和空间群不变，但分子由于吸热，热运动加快---到达熔点后，尽管晶体吸热，但温度保持平台，吸收的热量使晶体结构发生变化，熔化（熔化热），晶体结构发生相变，但体系温度不变。克拉佩龙方程（dp/dT=ΔHm/TΔVm)），待全部熔化后，熔体吸热，分子热运动加快，熔体温度升高） 步冷曲线（结晶）：（同学分析）（降温速率是如何影响固体材料的结构？）（温控？） （2）结晶的宏观特征和动力 过冷度（△T）：结晶需要晶核，一定的过冷度，才能形成晶核。在温度等于熔点（Tm）时，溶解与凝固达到平衡，很难结晶。 当温度高于熔点时：液态自由能GL，大于固态自由能GS， （液态向固态转化时,自由能增大，反应不能进行，不能结晶） △G= GL- GS＞0， 当温度低于熔点时： △G= Gs- GL＜0，液态向固态转化，自由能降低，结晶能自发进行。 （3）晶核的形成 自发结晶： 熔体在一定的过冷度下，自发形成自发形成晶坯，不