半导体p-n结的整流效应原理.pptVIP

半导体p-n结的整流效应原理 如果外加一个电压，使负极与n半导体链接，正极与p半导体链接，电子和空穴都向p-n结移动，最后相互结合，这些电子与空穴的移动产生电流（如右图b所示），此时所加的外电压为正偏压、随着电压的增加电流同时增大。如图5所示 图5 P-n结的伏安特性 如果外加的电压相反，即处于反偏压，电子和空穴都会离开p-n结，在p-n结附近出现一个没有载流子的的耗尽区，就像绝缘体一样，没有电流通过。 由于p-n结只允许电流沿一个方向流过，它可以只让电流中的正向电流流过，而将反向电流阻挡，所以p-n结能够将交流电转变成直流电，如图5.15.这种p-n结又称整流二极管。 图5.15 p-n结的整流效应 p-n结的反向击穿 在p-n结处于反向偏压时，一般只有很小的漏电流，这是由于热激发的少量电子和空穴引起的。但是，如果反向偏压太大，通过p-n结的的绝缘区的漏电流的载流子将会被大大加速，从而激发出其他的载流子，导致在反向偏压下也产生一个很大的电流，右图所示，这种现象称为p-n结的反向击穿，从该现象可以定出p-n结的反向许可电压 当电路上的电压可以通过调节半导体掺杂和p-n结的结构来改变p-n结的反向许可电压。当电路上的电压超过反向许可电压时，p-n结的反向电流将迅速增加，其结果不仅有可能损坏p-n结，也会对电路的其他部分产生影响。但是，有时也可以利用p-n结的反向电流特性制备稳压二极管或齐纳（Zener ）二极管，可以用来保护电路不受突然出现的过高电压的危害。