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电光调制 实验目的 掌握晶体电光调制的原理 和实验方法 实验仪器 1、起偏器 1个 2、检偏器 1个 3、λ/4波片 1个 4、ZY607氦氖激光器 1台 5、光电探测器 1个 6、ZY605电光调制器 1只 7、信号源 1台 8、双踪示波器 1台 实验内容 组装电光调制实验装置， 调节最佳工作状态， 观察实验现象 实验原理 晶体在外电场的作用下折射率的变化可表示为： n= n0 +aE0+bE02 + ┅ a和b为常数，n0为E0=0时的折射率。 由一次项引起的折射率变化称为一次电光效应，也称线性电光效应或泡克耳斯效应； 由二次项引起的折射率变化称为二次电光效应或克尔效应。 依据外加电场的方向不同，晶体的电光效应又可分为纵向效应（外加电场方向与光束传输方向一致）和横向效应（外加电场的方向与光束传输的方向垂直）。 1、一次电光效应和晶体的折射率椭球 当光线穿过某些晶体（如铌酸锂）时，会折射成两束光。其中一束符合一般折射定律称之为寻常光（简称o光），折射率以n0表示；而另一束的折射率随入射角不同而改变，称为非常光（简称ｅ光），折射率以ne表示。一般讲晶体中总有一个或二个方向，当光在晶体中沿此方向传播时，不发生双折射现象，把这个方向叫做晶体的光轴方向。只有一个光轴的称为单轴晶体，有两个光轴方向的称为双轴晶体。由晶体光轴和光线所决定的平面称为晶体的主截面。实验发现，ｏ光和ｅ光都是线偏振光，但它们的光矢量（一般指电场矢量E）的振动方向不同，ｏ光的光矢量振动方向垂直于晶体的主截面，ｅ光的光矢量振动方向平行于晶体的主截面。晶体的光轴在入射面内时，ｏ光和ｅ光的主截面重合，电光矢量的振动方向互相垂直。 光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或矢量的振动方向不同，光的折射率就不同，通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。若把坐标轴X，Y，Z取在晶体的3个主轴方向上，分别用nx，ny，nz表示晶体3个主轴上的折射率，并以nx，ny，nz 成比例的长度分别为3个半轴长做一椭球，这个椭球可表示光在晶体内的传播情况，称这个椭球为折射率椭球。 当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成： 2、LN（铌酸锂）晶体电光效应 其中 称为电光系数。再进行坐标交换以消去(2-3)式中的交叉项，令： 3、电光调制原理 起偏器的偏振方向平行于电光晶体的X轴，检偏器的偏振方向平行于Y轴。当在晶体X方向加上电场时，折射率椭球绕Z轴旋转了45°角，其感应轴为 。此时，入射光束经起偏器后，以与x轴平行的线偏振光进入晶体，并分解成沿 ，轴的两个相位和振幅均分别相等的分量，即 入射光在晶体表面（Z＝0）处的输入光强为： 　　 　　 　　　　　 　 当光通过长度为L的晶体后，设此时对应的输出光强为：(先不考虑插入1/4玻片) 电光晶体的透过率T可表为： 外加电场所引起位相差为： 光强透过率T=100%，这时加在晶体上的电压称作半波电压，通常用V∏表示。 其中V是加在晶体上的交流调制信号，Vm是其振幅，ω是调制频率。 T将仅随晶体上所加的电压变化而变化。 加入玻片。玻片在电光调制系统中的作用是调节相位差，相当于给晶体所加的直流偏置。 外加电场所引起位相差为： 电光晶体的透过率T可表为： 当 时， 即T∝sinωt 操作步骤 1、按图所示布置好光路