电力电子技术(含实验)第2章电力电子器件.ppt

电力电子器件应用 电力电子器件 电力变换电路 静态特性 二极管具有单向导电能力，二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压Uth(又称死区电压)，当外加电压小于门坎电压时，正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.7V，当外加电压大于Uth后，电流会迅速上升。当外加反向电压时，二极管的反向电流IS是很小的，但是当外加反向电压超过二极管反向击穿电压URO后二极管被电击穿，反向电流迅速增加。 （2） 电流参数 ?通态平均电流 IT(AV) 额定电流----- 晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许连续流过的单相工频正弦半波电流的最大平均值。 使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管(依据发热效应、有效值相等的原则）。 实际使用时应留一定的裕量，一般取1.5~2倍。 电流平均值： 指一个周期内的电流算数平均值； 电流有效值： 指一个周期内的电流的方均根值。 波形系数： Kf = I / IT(AV) 工频正弦半波电流的Kf=1.57 维持电流 IH ——使晶闸管维持导通所必需的最小电流 一般为几十到几百毫安，与结温有关，结温越高，则IH越小 擎住电流 IL —— 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。 对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。 浪涌电流ITSM ——指由于电路异常情况（短路或过载）引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。 （4） SCR的门极参数 ?? 门极触发电流IGT 指在室温下，阳极电压直流6V时使SCR由断态转入通态所必需的最小门极电流。 快速晶闸管的关断时间≤50μs，常在较高频率(400HZ)的整流、逆变和变频等电路中使用，它的基本结构和伏安特性与普通晶闸管相同。目前国内已能提供最大平均电流1200A、最高断态电压1500 V的快速晶闸管系列，关断时间与电压有关，约为25μs～50μs 。 双向晶闸管不论从结构还是从特性方面来说，都可以看成是一对反向并联的普通晶闸管。在主电极的正、反两个方向均可用交流或直流电流触发导通。 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor — GTO） GTO是继晶闸管后出现的大功率电力电子器件，属于全控型器件。 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断； GTO的电压、电流容量较大（目前制造水平为8KV/8KA)，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 GTO的应用简化了电力电子装置，不需要强迫换流装置。 GTO的结构与外形 结构：与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极；和普通晶闸管的不同：GTO是一种多元的功率集成器件(多胞结构），内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 8KV/8KA，工作频率达到1K 2. GTO的工作原理 与普通晶闸管一样，可以用图2-9所示的双晶体管模型来分析 开通过程与普通晶闸管相同 ?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当?1+?21时，不能维持饱和导通而关断。 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： （1）导通时过程与普通晶闸管一样，只是?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15），这样导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断； （2）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流; （3）关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流，当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断； （4）多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强。 (1) GTO的阳极伏安特性 (2) GTO的开通特性 开通时间ton由延迟时间td和上升时间tr组成。 (3) GTO的关断特性 GTO的关断过程有三个不同的时间，即存储时间ts、下降时间tf及尾部时间tt。 存储时间ts ：对应着从关断过程开始，到阳极电流开始下降到90%IA为止的一段时间间隔。 下降时间tf ：对应着阳极电流迅速下降，阳极电压不断上升和门极反电压开始建立的过程