第9章半导体磁敏传感器.pptVIP

霍尔式机械振动传感器 （二）、霍尔式转速传感器 总结 原始 输入量 变换原理 物理现象 能量 关系 输出量 I和B 霍尔效应 物性型 控制型 霍尔电势 §9-2　磁阻元件 一、磁阻效应与磁阻元件 磁阻器件类似于霍尔器件，当霍尔元件受到与电流方向垂直的磁场作用时，不仅会产生霍尔效应引起的霍尔电势，而且还会出现半导体电阻率增大的现象。这种现象称为磁阻效应(或称为高斯效应)。 磁阻效应与霍尔效应区别在于，霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向产生的阻值变化。磁阻效应与材料性质及几何形状有关，一般迁移率愈大的材料，磁阻效应愈显著；元件的长、宽比愈小，磁阻效应愈大。 磁阻元件是利用半导体的磁阻效应而制作的元件，这种元件的电阻值能够随着磁场的增加而增大。它的优点是像电阻元件一样，只有两个端子，结构简单，安装方便。缺点是磁阻元件的电特性比霍尔元件的复杂，不是单一的线性输出。半导体磁阻元件外形呈扁平状，非常薄，它是在0.1~0.5mm的绝缘基片上蒸镀上约20~25μm的一层半导体材料制成的，也有在半导体薄片上腐蚀成型的。为了增加有效电阻，将其制成电阻应变片那样的弯曲栅格，端子用导线引出后，再用绝缘材料覆盖密封。常见的磁阻元件有lnSb(栅格型)、lnSb—NiSb(共晶型)和薄膜型等。 二、磁阻元件的主要特性 一般地如果金属栅条之间的距离不是非常接近，那么在弱磁场B作用下，即tgθ1时，元件的电阻变化呈平方特性，用下式表示 在强磁场B作用下，即tgθ1时，元件的电阻变化呈线性特性，用下式表示 二、磁阻元件的主要特性 (1)电阻变化与磁感应强度的关系。因材料不同，磁阻相对变化与磁感应强度B的变化关系如图9-14所示。L和D为不同掺杂的InSb-NiSb。由图可知磁感应强度小于0.3T时，电阻变化与磁感应强度成平方关系；当大于0.3T时则成线性关系。 (2)相对灵敏度Sr。磁敏电阻的相对灵敏度是磁感应强度为0.3T(或1T)时电阻值RB与零磁场电阻值R0之比，即Sr= RB / R0 。 (3)温度特性。磁敏电阻材料是一种受温度影响极大的材料，温度系数和磁场的关系如图9-15所示。 (4)标称阻值及额定功率。磁敏电阻大部分和半导体电路配合使用，电阻为50~500Ω的元件已满足需要。磁敏电阻的额定功率在环境温度低于80OC时为几毫瓦。 三、磁阻元件的应用 从应用来看，磁阻元件具有两种功能，一是具有本身电阻可改变的功能，另一是和电流结合起来实现乘法运算的功能。同时磁阻元件的电阻变化有平方特性和线性特性，流过磁阻元件的电流可以是交流的，也可以是直流的，因此可进行不同的组合，应用范围相当广泛。下面介绍几个在测试技术中常用的例子。 三、磁阻元件的应用 (1)磁通计。用比例型磁阻元件制作的磁通计能够直接读出磁通密度，一般用于磁通密度大于0.3T以上的测量。磁阻效应磁通计特别适宜于测量密度较高的脉冲磁场，还可用于测量超导磁体。高灵敏度磁通计是利用两个平方特性的磁阻元件在弱磁场作用下具有很高灵敏度这一原理制成的一种磁通计。 (2)位移计。图9-16所示是一个利用差动式磁阻元件的电压分压比随永久磁铁的位置而变化的性质制作的位移传感器。如果将永久磁铁和磁阻元件配置成圆形，则不仅可测出直线位移，还可模拟检测出转角。 三、磁阻元件的应用 (3)无触点点开关。当磁阻元件接近永久磁铁时会使元件阻值增大，再根据需要将信号放大或直接驱动晶体管，就可以实现无触点开关功能或计数功能。电路如图9-17所示。 §9-3 磁敏二极管和磁敏三极管 磁敏二极管和磁敏三极管是由锗或硅半导体材料制成的，其中二极管具有长基区的P+一i一N+型的二极管结构，磁敏三极管则是具有双极型晶体管结构的磁电转换元件。 一、磁敏二极管 (一)结构原理 磁敏二极管是利用电子和空穴双注入效应和复合效应原理制成的元件。磁敏二极管的两端是高掺杂的半导体P+和N+，中间是一个较长的本征半导体i，它不像普通二极管的P型和N型半导体直接接触，在接触面附近形成PN结。磁敏二极管的P+型和N+型半导体不直接接触。因此它又叫P+一i一N+型长二极管，其结构符号和工作原理如图9-18所示。 (一)结构原理 这种二极管的特点是在长基区(i区)的一侧设置了载流子高复合区r，r区对面则是复合速率很低的光滑表面。当元件施加正向电压时，在无磁场情况下，P+区的空穴和N+区的电子分别流入N+区和P+区形成电流，仅有少量电子和空穴在i区复合掉。当加上正向磁场B+时，由于洛仑兹力的作用使电子和空穴偏向r区，并在r区很快复合掉，这时i区的载流子密度减小，使i区的电阻增加，电流减小，i区电压降增大，而P+i结和N+i结上的电压降减小，促使注入i区的载流子数量下降，使i区电流进一步减小，直到