第7章--霍尔传感器.pptVIP

磁电式传感器 7.2 霍尔传感器 霍尔传感器是磁敏传感器，利用磁场作为媒介。 实现非接触测量 用永久磁铁产生磁场，不需附加能源 霍尔元件是一种四端元件 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧（d侧）偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 c d a b 19世纪后期，已发现在金属中存在霍尔效应 由于其效应很微弱，很久未被重视 20世纪中叶，半导体科学的发展才制成实用型的元件 20世纪60年代后，成为值得重视的技术工具 6.1.1 霍尔传感器的工作原理及特性 半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH。 磁感应强度B为零时的情况 c d a b 磁感应强度B 较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示： EH=KH IB 霍尔效应 —— 霍尔元件灵敏度 —— 霍尔电势 半导体 霍尔电势与控制电流I和磁感应强度B成正比。只要它们的大小和方向发生变化，霍尔电势也随之发生改变。 根据霍尔传感器可以通过测量霍尔电势来测量磁场，或用来测量产生或影响磁场的物理量。 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势演示 结论：霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比。当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，霍尔电势为同频率的交变电势。 a c d b 霍尔电势的产生 N型半导体： 洛仑兹力 电场力 动态平衡 令 霍尔常数 电流 半导体 绝缘体 金属 材料：锗、硅、砷化镓、砷化铟、锑化铟 输入1 输入2 输出1 输出2 磁性顶端 引线 衬底 纯金属中自由电子浓度过高，霍尔效应微弱，无实用价值 1 半导体四端薄片，一般做成正方形， 2 薄片的相对两侧对称的悍上两对电极引出线。 3 一对称激励电流端，另一对称霍尔电势输出端。 （1）尺寸小，体积小、重量轻 （2）频率响应高（建立霍尔电动势所需时间短） （3）输出信号大 （4）输出电阻小 常采用恒流源作为激励源 （5）实现乘法运算，构成各种非线性运算部件 （6）稳定性好、寿命长 霍尔元件基本特性 测量磁物理量、电量及其它物理量 Rl控制电流极之间的电阻值 R霍尔电极之间的电阻值 零位误差及其补偿 即零位误差，原因四个电极的不对称几何尺寸引起的，多采用电桥法来补偿 霍尔电势温度系数 在一定的磁感应强度和单位控制电流下，温度每改变1度，霍尔电动势值变化的百分率。 与霍尔元件的材料有关 要求较高的场合，应选择低温漂的场合 霍尔元件的误差及其补偿 7.2 测量电路 7.2.3 霍尔传感器的应用 1. 微位移的测量 * 磁场梯度越大，灵敏度越高 磁场梯度越均匀，输出线性越好 测量范围：1 ~ 2 mm 2.转速的测量 通以恒定电流的霍尔传感器，放在齿轮和永久磁铁中间， 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮 当机件转动时，带动齿轮转动， 齿轮使作用在元件上的磁通量发生变化 齿轮对准磁极时，磁阻减小，磁通量增大； 齿间隙对准磁极时，磁阻增大，磁通量减小； * *