第四章器件制作流程.ppt

第四章 集成电路制造工艺概况 §4.1 基本工艺介绍 §4.2 CMOS技术发展历程简介 §4.3 CMOS制作流程 MOS工艺流程中的主要制造步骤 §4.1 基本工艺介绍 基本大类： 图形制备： 光刻 刻蚀 薄膜制备 掺杂 各个工艺的作用 光刻： 将电路图形转移到光刻胶上，形成临时图形。 刻蚀： 用化学或物理方法有选择性的从硅片表面去除不需要的材料的过程，在硅片上没有光刻胶保护的地方形成永久的图形； 各个工艺的作用 薄膜制备： 用化学或物理方法在硅片衬底上淀积一层膜的工艺，主要完成介质层与金属层的淀积。 主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积。 掺杂： 向特定区域掺入杂质，以改变其电学性能。 主要包括扩散、离子注入。 硅片制造厂的硅片流程 CMOS 反相器 §4.2 CMOS技术发展历程简介 20世纪60年代 -PMOS -扩散工艺作掺杂 -金属栅 20世纪70年代 -NMOS -离子注入工艺作掺杂 -多晶硅栅 20世纪80年代 -CMOS -Minimum feature size: from 3 mm to 0.8 mm -Wafer siz