第三章半导体中载流子的统计分布(4)王如刚(2015)(1).pptVIP

上节课的内容 n0=p0 取对数 Nc、Nv代入 所得本征半导体的费米能级EF常用Ei表示 施主浓度ND和受主浓度NA就是杂质的量子态密度 电子和空穴占据杂质能级的概率分别是 施主能级上的电子浓度nD为： 即没有电离的施主浓度 受主能级上的空穴浓度pA为： 电离施主浓度为： 电离受主浓度为： 即没有电离的受主浓度 （1）低温弱电离区 当温度很低时，大部分施主杂质被电子占据，只有少数杂质电离，使少量电子进入导带，称作低温弱电离。此时本征激发忽略不计，所以 n0=nD+ （1）低温弱电离区 n0=nD+ND 代回 ND 中间电离区 本节课的内容 (2)中间电离区 T↑ 2NcND EF下降至 以下 当温度升高到EF=ED时， 施主杂质有1/3电离 ND 中间电离区 当温度升高至大部分杂质都电离时称为强电离。 (3)强电离区 此时， Ef由温度T和施主杂质浓度所决定，(低温弱电离的区别) 一般掺杂情况下 在温度一定时，施主浓度越大，费米能级向导带方面靠近。 当施主浓度一定时，温度越高，费米能级向本征费米能级靠近。 N型半导体的费米能级和本征半导体费米能级相比如何？ 处于饱和区和完全本征激发之间时称为过渡区 (4)过渡区 此时， 饱和区： n0=ND，此时载流子浓度与T无关 表明n0和p0数量接近，都趋于ni，过渡区内更接近本征激发情况。 T↑，n0ND，p0ND 电中性条件：n0=p0 杂质浓度越高，达到本征激发起主要作用的温度也越高。 n型硅中电子浓度与温度关系 低温弱电离，施主杂质电离产生导带电子 T增加，费米能级从施主能级以上下降到以下 ED－EF k0T，饱和区 T增加，本征激发作用加强，过渡区，EF下降 电子由杂质电离和本征激发共同作用 T增加，本征激发作用为主，EF下降到禁带中线 载流子浓度急剧上升 (5)高温本征激发区 硅的费米能级与温度及杂质浓度的关系 3.p型半导体的载流子浓度（作业） 低温弱电离区： 强电离（饱和区）： 过渡区： 高温本征激发区；（同前） 结论： 杂质半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度所决定。 ( 与本征区别) 对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程，EF从杂质能级附近→禁带中线处。 温度一定时，费米能级的位置由杂质的种类和浓度决定，费米能级的位置反映导电类型和掺杂水平。 3.4 杂质半导体的载流子浓度 实际应用的半导体—掺杂的非本征半导体，由于杂质的存在，载流子的来源为本征激发和杂质电离提供。 n0=施主杂质电离提供的电子＋价带跃迁到导带的电子 p0=受主杂质电离提供的空穴＋价带跃迁到价带的空穴 不同掺杂情况下的费米能级 电子填充水平最低，EF最低 强p型 弱p型 本征 弱n型 强n型 过渡区 导带电子来源于全部杂质电离和部分本征激发 强电离（饱和） 导带电子浓度等于施主浓度 高温本征激发区 n0ND p0ND 同上 中间电离 导带电子从施主电离产生 p0=0 n0= 弱电离 导带电子从施主电离产生 费米能级 载流子浓度 电中性 特征 思考题：指出所示曲线不同的区域特征 掺杂半导体内，多数载流子浓度与温度的关系 杂质能带产生的影响： 杂质能带 简并半导体中杂质能级示意图 Ec Ev Eg’ ED Eg a b 杂质能带出现使 ，当杂质浓度很高时，杂质能带与导带相连 当杂质能带与导带底相连时，形成新的简并导带，它的尾部伸入到禁带中，结果使简并半导体的 ，禁带变窄效应 有一块掺磷的 n型硅，ND=1015cm-3,分别计算温度为②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7） 2、两块n型硅材料，在某一温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为 (e是自然对数的底) (1) 如果第一块材料的费米能级在导带底之下 ，试求第二块材料中费米能级的位置； (2) 求出两块材料中空穴浓度之比