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5,电子基础知识基;所谓半导体: 顾名思义，其导电能力介乎导体和绝缘体之间。 用得最 多的半导体是锗和硅，都是四价元素。 本征半导体: 锗或硅提纯后形成的完全纯净、具有晶体结构的半导体 就是本征半导体。; .半导体的特殊性: 1.导电性差别大: 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别。本征半导体原子间存 在稳固的共价键，导电能力并不强。但受其外部因素影响大, 导电能力 大大改善. 2.导电性受温度影响大: 有些半导体在温度增高、受光照等条件下，导电??力会大大增强， 利用这种特性可制造热敏电阻、光敏电阻等器件。 3.掺杂质提高导电性: 在本征半导体中掺入微量杂质后，其导电能力就可增加几十万乃至 几百万倍，利用这种特性就可制造二极管、三极管等半导体器件。;第一节 半导体和PN结; 两端加上电压，就形 成二种运载电荷的粒子 流（电流），自由电子 向正极运动(电子流)， 空穴向负极运动（空穴流）。 ; 本征半导体中掺入少量杂质，导电性大大改善.在硅中掺入五价磷（P）形成电子型（N型）。掺入三价硼（B）形成空穴型（P型）半导体. 空穴型是电子少，空穴多，故空穴为多数载流子。;; 在一块本征半导体的两边掺入不同的杂质，就形成了一端为 P型， 另一端为N型，在其结合面形成的薄层，称其为PN结。;5.漂移一定时间后达到平衡而形成PN结;当P区接电源正，N 区接电源负， 则有电流形成，称为正向导 通；正向电阻很小.;4.反向只有很少漏电流,表明,反向电阻大; ;;二. 二极管的伏安特性曲线;5.过了死区电压后电流迅速上升aˊ-a; 按下面电路图接线，给二极管加反向电压, 只有很小的反向电流, 基本不随电压的上升而增大.见左下图.;;2.增大二极管反向端电压到某一值.;; 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。; 1.最大整流电流(Im): 长期允许通过二极管的最大平均电流值. 2.最高反向工作电压: 一般为反向击穿电压的1/2,有的可达2/3. 3.反向电流: 在给定的反向电压下, 通过二极管的反向电流值.越小说明单向导 电性能越好. ; 用万能表电阻档可判断二极管的正负管脚和好坏,方法如下图. ;基极;2. 三极管文字符号: VT;4.结构与特点: 三个极(基极b, 集电极c,发射极e); 三个区(基区,集电区,发射区); 二个结(发射结, 集电结);5. 三极管工作在放大状态时的偏置与电流方向;;;注: 电流放大倍数一般用色点标注在三极管的壳顶上.;1.特性曲线: 反映三极管各极电压和电流之间相互关系的曲线. 常分为: 1). 输入特性曲线: 在固定不同Uec状态下, 输入电流Ib 与输入电压Ueb之间的关系曲线. 2). 输出特性曲线: 在固定不同Ib状态下, 输出电流Ic 与输出电压Ueb之间的关系曲线.;IB(?A);放大区;2. 主要参数: ;2).集-基极反向截止电流 ICBO; 5. 集-射极反向击穿电 压U(BR)CEO 硅管允许结温约为150?C， 锗管约为70?90?C。当集—射 极之间的电压UCE超过一定的 数值时, 三极管就会被击穿. 手册上给出的数值是25?C、基 极开路时的击穿电压U(BR)CEO。; ;;1. 管子电极数: 2, 3. 2. 材料和极性: A - N型,锗材料. B - P型,锗材料. C - N型,硅材料. D - P型,硅材料. 3. 类型: P–普通管，Ｗ－稳压管，Ｚ－整流管， ４.序号:;IC＝ IB ;;附2:1203串联稳压电源的插接与调试; 2. 大面包板插接;;一. 单相半波整流电路:;1.输出 电压:;二. 单相全波整流电路:;结论 : 负载上流过整个周期的电流,故Uz = 0.9U2; 而截止的管 子承受2倍于半波整流电路的反向电压.;三. 单相全波桥式整流电路:;2. 估算;1). 输出直流电压高； 2). 脉动较小； 3). 二极管承受的最大反向电压较低； 4). 电源变压器得到充分利用。;四、滤波电路;2.特性：考虑变压器和整流电路