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半导体超晶格及其应用 第l8卷第1期 2011年2月 东莞理工学院 JOURNAL0FD0NGGUANUNIVERSITYOFTECHNOLOGYVo1.18No.1 Feb.2011 半导体超晶格及其应用 范丽仙陈桂华罗诗裕 (东莞理工学院电子工程学院,广东东莞523808) 摘要:半导体超晶格是凝聚态物理的前沿领域之一.对半导体超晶格物理的历史,现状以及未来做了简 单的回顾与展望,并介绍了它的若干应用. 关键词:半导体;超晶格;量子阱;杂质_T-程;能隙工程 中图分类号:O471文献标识码:A文章编号:1009—0312(2011)01—0068—06 超晶格的特殊几何结构引起了人们极大的兴趣,为人们寻找新材料和新光源开辟了全新领域.事实 上,基于这一概念,半导体材料的光电性能得到了大大改善;基于这一概念,人们先后找到了光子晶体 和声子晶体;也是基于这一概念,带电粒子同物质相互作用有了全新的研究方向.40年来,量子阱超 晶格一直是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿和半导体科学技术史上一颗璀璨的明珠.超晶格概念的 提出及其半导体超晶格,量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,半导体器件的设计 与制造从过去的杂质工程发展到能带工程,出现了以光电特性可剪裁的新时期,进入了 以量子效应和低维结构为标志的新时代. 1量子阱超晶格 1970年IBM公司的江琦(L.Esaki)和朱兆祥(R.Tsu)等人首次提出了GaAs/AIGaAs超晶格概 念;两年以后,人们利用分子束外延方法成功制备出了GaAs/AIGaAs超品格.随着薄膜技术的发 展,超晶格的研制取得了迅速的发展l.以能带理论为基础,超晶格材料具有一般半导体不具备的 许多特征.它的成功研制可以说是半个世纪以来,半导体物理学和材料科学的重大突破. 一 个突破是它把量子物理的研究对象从埃的量级扩大到纳米量级甚至更大.我们知道,20世纪初 提出的量子论和20年代创立的量子力学,是以原子尺寸(0.1nln量级)为研究对象的;70年代发现 的超晶格则在更大尺寸范围内(10nlTl量级)揭示了新的量子效应.由于量子尺寸的扩大,一系列新量 子现象的产生,为后来的光电子技术发展打下了坚实的物理基础,也为量子物理的应用开辟了新的应用 前景.第二个突破是在人类历史上第一次出现人工设计晶体的时代.我们知道晶体的特点是原子点阵的 周期排列,正是这种周期结构,使电子运动出现了不寻常的量子特征.但传统的晶体都是以晶格常数为 周期,而晶格常数却是恒定不变的;半导体超晶格则具有尺寸大,周期可调的特点,正是在这个意义上 人们把它称为超晶格,并引起了人们的极大兴趣. 超晶格量子阱概念的提出和成功研制是20世纪量子力学和凝聚态物理在半导体方面的伟大创举. 量子力学是现代物理的基础学科之一,以量子力学为基础的固体能带理论,固体量子理论,成功地解释 了固体低温比热容问题,解释了绝缘体,半导体和导体的差异.而能带理论的卓越贡献则是它成功地解 释了半导体材料的导电机制,导致了20世纪50年代电子技术的迅速发展;也导致了20世纪末的计算 机技术,信息技术和光电子技术的迅速发展. 值得注意的是,超品格材料除了周期比较大外,重要的是它仍然具有量子性J,且可以做出近 收稿日期:2010—10—08 基金项目:国家自然科学基金. 作者简介:范丽仙(1976一),女,硕士,实验师,主要从事物理实验和计算机应用与开发研究. 第1期范丽仙,等:半导体超晶格及其应用 乎理想的二维电子系.对这种低维电子系的研究开辟了物理学研究的全新领域;以硅为代表的微 电子技术和人工剪裁为特征的光电子技术己成为21世纪高技术产业的基础. 2超晶格类型 江崎等人把超晶格分为两类:组分超晶格和掺杂超晶格.组分超晶格的空问结构及能带分布如图1 所示.所谓组分超晶格就是将两种晶格常数略微不同的材料交替生长而成的多层薄膜结构.比如,将材 料GaAs和Ga一AlAs交替生长形成的多层结构就是典型的组分超晶格.图1给出了理想情况下组分超 晶格及其量子阱示意图.从图1可以看出,当两种材料GaAs和GaAlAs交替生长时,由于两种材料 的能隙不同,在GaAlAs和GaAlAs之间形成了一个个势阱,最简单的势阱就是如图1(b)或 图2(a)所示的方形势阱.在超晶格量子阱中运动的带电粒子(比如电子),将不断受到势阱两侧势垒 的作用,纵向运动受到阻碍.势阱的深度或高度决定于超晶格材料GaAs和Ga一AlAs的能隙差,势阱 的宽度决定于夹层GaAs的厚度.重要的是,势阱深度和宽度均可以人为调节. (b) 图1组分超晶格(a)和它的量子阱(b)示意图 能量 所谓掺杂超晶格是指在同一种衬底材料(比如GaAs)上交替掺入n一型和P一型杂质,形成n—i — P—