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一、位移电流
1. 求下列情况下的位移电流密度的大小:
(1)某移动天线发射的电磁波的磁场强度
;
(2)一大功率变压器在空气中产生的磁感应强度
;
(3)一大功率电容器在填充的油中产生的电场强度
设油的相对介电常数;
(4)工频下的金属导体中,,设金属导体的。
解 (1)由得
故
(2)由得
故
(3)
故
(4)
故
二、麦克斯韦方程组的直接应用
1. 由置于和的导体圆柱面和z=0、z=20cm的导体平面围成的圆柱形空间内充满的媒质。若设定媒质中的磁场强度为,利用麦克斯韦方程求:(1);(2)E。
解 (1)将题设的H代入方程,得
对时间t积分,得
将代入方程,得
对时间t积分,得
将上式与题设的对比,得
故
(2)将代入中,得
三、边界条件的应用
1. 媒质1的电参数为;媒质2的电参数为、。两种媒质分界面上的法向单位矢量为,由媒质2指向媒质1。若已知媒质1内邻近分界面上的点P处,求P点处下列量的大小:;;;。
解:(1)在分界面法线方向的分量为
(2)
(3)利用磁场边界条件,得
(4)利用磁场边界条件,得
四、静电场与恒定电场
1. 如图所示,一半径为、带电量的导体球,其球心位于两种介质的分界面上,此两种介质的电容率分别为和,分界面为无限大平面。求:(1)导体球的电容;(2) 总的静电能量。
解 (1)由于电场沿径向分布,根据边界条件,在两种介质的分界面上,故有 。由于、,所以。由高斯定理,得到
即
题 3.33图
题 3.33图
导体球的电位
故导体球的电容
(2) 总的静电能量为
2. 同心球形电容器的内导体半径为,外导体内半径为,其间填充介电常数与电导率分别为 、和、的两种有损耗介质,如例图所示。若内外导体之间外加电压。求:(1)介质中的电场和电流分布;(2)电容器的漏电阻;(3)电容器的损耗功率。
解 (1)设由内导体流向外导体的径向电流为,则由,可得
在两种介质的分界面上,电场与分界面平行。根据边界条件,可知。由于,,所以
即
又
所以
故
(2)电容器的漏电阻为
(3)电容器的损耗功率为
五、恒定磁场
1. 真空中有一厚度为2的无限大载流块,电流密度为,在其中心位置有一半径为的圆柱形空腔,如例图所示。求空腔内的磁感应强度。
解 设空腔中同时存在有密度为的两种电流分布,则可用安培环路定理和叠加原理来求出空腔内的磁感应强度
电流密度为的无限大均匀载流块产生的磁感应强度为
(xd)
电流密度为的无限长均匀载流圆柱产生的磁感应强度为
根据叠加原理得到空腔内的磁感应强度为
例5.1图
例5.1图
2. 如图所示,无限长直导体圆柱由电导率不相同的两层导体构成,内层导体的半径,电导率;外层导体的外半径,电导率。导体圆柱中沿轴线方向流过的电流为,求导体圆柱内、外的磁感应强度。
解 电流沿轴线方向流动,则导体圆柱内的电场也沿轴线方向,根据边界条件,应有,则两层导体中的电流密度和不相同。由
利用、以及,有
于是得到
故有
利用安培环路定律,当时,有
所以
当时,有
所以
当时,有
3, 同轴线的内导体是半径为的圆柱,外导体是半径为的薄圆柱面,其厚度可忽略不计。内、外导体间填充有磁导率分别为和两种不同的磁介质,如图所示。设同轴线中通过的电流为,试求:
(1)同轴线中单位长度所储存的磁场能量;
(2)单位长度的自感。
解 同轴线的内外导体之间的磁场沿方向,在两种磁介质的分界面上,磁场只有法向分量。根据边界条件可知,两种磁介质中的磁感应强度,但磁场强度。
(1)利用安培环路定律,当时,有
所以
当时,有
由于、以及,所以得到
同轴线中单位长度储存的磁场能量为
(2)由 ,得到单位长度的自感为
六镜像法:
试证无限大导体接地导体平面上半球形导体上方点电荷q受到的电场力为,式中a为导体球半径,d为电荷与球心的间距。
解:应用镜像法,将半球变为一个整球,为保证无限大导体平面
和球面形成的边界电位为零,需引入三个镜像电荷,-q,,,
其中q和-q,和保证无限大平面边界电位为零,q和,-q
和保证球面边界的电位为零。
利用镜像法,求得
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