半导体器件物理第3章.ppt

科学出版社 高等教育出版社中心 3.1双极结型晶体管的结构 教学要求（3.1节和3.2节） 1.掌握概念：发射效率 基区输运因子 共基极电流增益 共发射极电流增益 穿透电流 2.了解典型BJT的基本结构和工艺过程。 3.掌握BJT的四种工作模式及偏压条件。 4.画出BJT电流分量示意图，写出各极电流及其相互关系公式。 5.分别用能带图和载流子输运的观点解释BJT的放大作用。 6.解释理想BJT共基极连接正向有源模式下集电集电流与集电压无关的现象。 7.解释理想BJT共发射极连接正向有源模式下集电集电流与集电极－发射极间的电压无关的现象。 8.解释理想BJT共基极连接和共发射极连接的输出特性曲线。 什么叫靠得很近？ 靠得很近——有效基区宽度基区少子扩散长度 有效基区宽度：WB NPN：WBLnB PNP：WBLpB 3.2基本工作原理 载流子(对npn晶体管为电子)的输运过程包括： 1.发射结的注入 2.基区的输运与复合 3.集电结的收集 3.2基本工作原理 三种接法 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 3.2基本工作原理 晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出的电流－电压关系，根据这些特性曲线可以鉴别晶体管的性能。 晶体管有共发射极、共基极和共集电极三种联接方式，其中有实用价值、常常用到的包括：共发射极和共基极的输出特性、输入特性。 两种输出特性曲线的不同点： （1）共射极输出特性中，输入电流较小的变化就可引起输出电流较大的变化；共基极特性曲线中，输入电流与输出电流的变化相差不大，这表明共射极电流放大系数比共基极的大得多。 （2） 共射极输出特性曲线随着VCE的增大逐渐上翘，而共基极特性曲线基本上保持水平。这说明共基极电路的输出电阻比共射极的大。 （3）随着输出端电压的减小，共射极特性曲线在VCE下降为零前，输出电流IC就已经开始下降，而共基极特性曲线在VCB=0时还保持水平，要到VCB为负值时才开始下降。 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 教学要求 1.理解理想双极结型晶体管的基本假设及其意义。 2.写出发射区，基区，集电区少子满足的扩散方程并解之求出少子分布。 3.掌握公式（3-3-5）和（3-3-6）。这两个公式有什么样的对称关系？ 4.掌握正向有源模式基区输运因子公式（3-3-22）。 5.掌握正向有源模式基区电子电流公式（3-3-21）。 6.解释图3-13中hFE随工作电流变化的现象。 3.4埃伯斯-莫尔方程 教学要求 1.理解并记忆BJT四种工作模式下的少子分布边界条件。 2.画出BJT四种工作模式下少子分布示意图。 3.建立E-M方程的基本思想是什么？ 4.根据爱拜耳斯—莫尔模型的等效电路图导出E－M方程（3-4-5）和（3-4-6）。 5.了解E－M方程中四个参数的物理意义。 6. 根据E－M方程写出四种模式下发射极电流和集电极电流表达式。 3.4埃伯斯-莫尔方程 4.E-M方程适用于各种结构的BJT的所有工作模式 正向有源模式 反向有源模式 饱和模式 截止模式 3.5缓变基区晶体管 教学要求 1.导出缓变基区晶体管基区内建电场公式（3-5-1）。 2.导出少子分布公式（3-5-4）。 3.导出电流公式（3-5-5）。 4导出基区输运因子公式（3.5-8）。 5.G-P模型的基本思想是什么？根梅尔数包含的物理意义是什么? 3.6基区扩展电阻和电流集聚 教学要求 1.掌握概念：基极扩展电阻 电流集聚效应 2.为什么交叉指状电极能有效克服电流集聚效应？ 3.6基区扩展电阻和电流集聚 电流集聚效应：一个结型晶体管，在大电流工作时，发射结面上的电流密度分布不均匀，电流密度主要集中在发射结边缘部分，越靠近中间电流密度越小，这种现象称为电流集聚效应 原因：基于基区电阻的自偏压效应。 3.7基区宽度调变效应 教学要求 1.解释基区宽度调变效。 2.推导 随 的变化关系（3-7-1）。 3. 推导 随 的变化关系（3-7-2）。 4.从基区宽度减小使少子浓度梯度增加因而 增加的角度定量解释基区宽度调变效应。 3.8晶体管的频率响应 教学要求 1、掌握概念：频率响应 共基极截止频率 共发射极截止频率 特征频率（带宽） 基区渡越时间 2.导出公式 （3-8-5），（3-8-6），（3-8-7） 3.导出基区渡越时间公式（3-8-11）。 4.解释Kirk效应。 晶体管的交流频率特性是指一个小交流信号叠