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- 2019-10-13 发布于江苏
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第三十讲 单粒子效应和辐射测试 1;主要内容;单粒子效应介绍;半导体元件的辐照效应;TID (总离子剂量效应);单粒子效应(Single Event Effect);单粒子效应介绍;单粒子效应的分类;单粒子翻转(SEU);单粒子翻转;单粒子瞬变效应(SET);单粒子瞬变效应(SET);单粒子锁定(SEL: Single Event Latchup);单粒子烧毁(SEB)与单粒子门断裂( SEGR);单粒子效应介绍;单粒子效应产生的机制;空间粒子辐射环境;重核粒子引起的单粒子效应;重核粒子引起的单粒子效应;高能质子引起的单粒子效应;高能质子引起的单粒子效应;高能中子引起的单粒子效应;高能中子引起的单粒子效应;单粒子翻转的Critical Charge;单粒子效应介绍;CMOS器件的单粒子效应及加固;单粒子效应介绍;场效应管 -- FET;结型场效应管的结构;MOSFET的结构;PMOS与CMOS结构;MOS管基本工作原理;导电沟道的形成;漏,源极(D, S)之间电压的影响;MOS管基本工作原理;单粒子效应介绍;MOS存储器;基于MOS技术的ROM基本结构;近代信息处理 课件;SRAM基本结构;SRAM基本结构单元;基本SR锁存器;SRAM基本结构单元;DRAM存储单元;单粒子效应介绍;CMOS器件的单粒子扰动;CMOS SRAM离子实验的扰动模型验证数据;CMOS器件的单粒子闭锁(
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