ch3 薄膜成形工艺 - 外延教学幻灯片.pptVIP

GaAs MBE GaAs是采用MBE生长的最有代表性的材料之一。 喷射池中使用Ga和As元素作为元素源，Ga池温度1000度，As（AsCl3,AsH3）池温度400度，衬底温度650度。 在As的高气压下生长GaAs，主要升华物通常为As4，即在富砷的环境下生长。一般人认为生长模型是两个As4和Ga发生反应并生成GaAs和As4 外延层中的缺陷与检测 存在于衬底中并连续延伸到外延层中的位错 衬底表面的析出杂质或残留的氧化物，吸附的碳氧化物导致的层错 外延工艺引起的外延层中析出的杂质 与工艺或与表面加工（抛光面划痕、损伤），碳沾污等有关。形成的表面锥体缺陷（如角锥体、圆锥体、三菱锥体、小丘） 衬底堆垛层错的延伸 还会有失配位错、外延层雾状表面等缺陷 缺陷种类: 位错产生的根本原因是晶体内部应力的存在。在第四列之前的半透明区域在应力作用下成为已滑移区域。左端原子先发生移动，然后向右传播，中途应力减小，滑移中止在第四列。滑移面所在的平面两边其他原子列保持对齐，只有红色原子列例外，其连线为位错线，周围畸变区成为位错芯 层错是由于原子排列次序发生错乱而引起的，它是外延层上最常见而又容易检测到的缺陷。它将导致杂质的异常扩散，或成为重金属杂质的沉积中心，从而引起p－n结软击穿、低压击穿甚至穿通 层错：以{111}面为例 由衬底表面的错配晶核随外延层的增厚向上逐渐发展而成 层错沿着三个{1