砷化铟量子点与量子点雷射.pdf

砷化銦量子點與量子點雷射 * 1 綦振瀛 、葉念慈 國立中央大學電機工程學系 * e-mail: chyi@ee.ncu.edu.tw, 摘 要 本文主題是成長及製作砷化銦量子點異質結構與雷射，並且探討量子點元件的特性。為了能 使量子點雷射應用於光纖通訊，延伸發光波長至可使用的範圍，我們利用砷化銦量子點異質結構 在不同環境材料相依的應力效應，將砷化銦量子點置於砷化銦鎵應力緩衝層下方時可得到 1.34 微米的長波長。我們觀察到波長與位於量子點上方的應力緩衝層的厚度有關，顯示環境材料在量 子點應變鬆弛的過程中扮演重要的角色。另外，我們以砷化銦/砷化鎵量子點結構作為活性層，磷 化銦鎵作為被覆層製作半導體雷射並量測其特性。這些不含鋁成分的量子點雷射在室溫下之起振 電流密度為 138 A/cm2 ，內部損耗為 1.35 cm-1 和內部量子效率達 31 % 。在低溫時，特徵溫度 可達425 K 而起振電流僅30 A/cm2 。 1 現職：中華電信股份有限公司電信研究所 性，需成長高品質的量子點以做為雷射的活性層。 I. 簡介： E 具有以量子點 ( quantum dot, QD ) 為活性層 的半導體雷射已被預期較無量子結構之塊材、量子 井及量子線等具有好的雷射特性[1] 。許多人一定有 x,y 處理過簡諧振子 ( harmonic oscillator ) 的問題，而 在量子點中，電子與電洞的侷限就有如此問題般簡 z 單。我們可以從圖一看出在無量子結構之塊材中， 激子(exiton)僅靠庫倫力束縛，有三維的自由度； 在量子井結構中，則有一維的侷限性，激子除靠庫 倫力束縛外，尚有量子位障的束縛； 而在量子點 結構中激子則有三維的位障，可侷限在單一量子點 內。因而量子點內具有原子能階般的能態密度，並 可看出分離的光譜，所以理論預期量子點雷射將具 有低起振電流以及高特徵溫度[2] 圖一(a) 激子在半導體中可有三維的自由度。 。為得此優良特 ■ 652 ■ 物理雙月刊（廿三卷六期）2001 年 12 月 直到目前為止，在成長量子點時藉由即時監測 的技巧已經可精準的監測量子點形成的過程。並且 在過去幾年中，在砷化鎵基板上長出具有高晶格不 匹配的砷化銦量子點，也就是以 Stranski- Kranstanov 成長模式成長量子點，已引起廣泛的 研究[3] 。在成長幾個單層後，會先在砷化鎵上形成 所謂的沾濕層(wetting layer) ，而後就會自我形成島 狀物，而此島狀物以穿透式電子顯微鏡拍攝時大部