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第八章 半导体物理 半导体能带 半导体基本性质：①在半导体中掺入杂质，可以大大提升半导体电导率 ②温度上的微小变化可以极大地改变半导体电阻 ③光照会使半导体电阻率减小，电导率增大 本征半导体：不存在任何杂质与缺陷的半导体，其价带一般为满带 导带：能量恰好高于价带的一条，一般呈全空或未填满状态，记作Ec 价带：所有被电子占满的能带中能量最高的一条（价电子能带），记作Ev 直接带隙：导带底和价带顶都在k=0，如砷化镓 间接带隙：导带底和价带顶不都在k=0，如硅和锗 杂质半导体 施主型杂质：杂质原子替代半导体原子后，其价电子脱离束缚，能量进入导带 如以磷为代表的V族元素 施主能级：该价电子电离前处于束缚态（禁带），该状态能级略低于导带底 此能级称为施主杂质能级，记作Ed（dope 施主电离能：施主能级到导带底之间的能量差 N型半导体：掺有施主型杂质的半导体 受主型杂质：杂质原子替代半导体原子后，邻近电子因填补空缺而留下一价带空穴 如以硼为代表的III族元素 受主能级：该价电子移动前处于禁带，该状态能级略高于价带顶 此能级称为受主杂质能级，记作Ea（accept 受主电离能：价带顶到受主能级之间的能量差 P型半导体：掺有受主型杂质的半导体 载流子：N型半导体中载流子为导带电子，P型半导体中载流子为价带空穴 浅杂质：施主/受主电离能低于0.1?V的杂质，称为浅(能级)杂质 当施主浓度Nd＞受主浓度N 深杂质：施主/受主电离能可与禁带宽度相比/接近禁带宽度的杂质，称为深(能级)杂质 特点为能级反转——施主能级接近价带顶，受主能级接近导带底 深能级：深杂质能级可以俘获载流子并束缚它，它分为陷阱和复合中心两类型 载流子陷阱：若被深能级俘获的载流子可以重新激发到能带，称深能级为陷阱 载流子复合中心：若深能级同时俘获一对电子和空穴，则它们复合消失 第三节 半导体载流子统计分布（浅能级） 本征激发：载流子只能由价带顶附近电子激发至导带来形成，有n=p= 本征半导体载流子密度：n 本征半导体费米能级：EF=E N型半导体电中性条件：Nd-nd+p=n ? 施主电离 + N型半导体电子数密度随温度变化： 弱电离区：在超低温下，只有部分施主杂质电离；费米能级随温度上升而下降 饱和区：所有施主均电离（n≈Nd），但本征激发仍较微弱（ 本征区：本征激发ni? 第四节 半导体的输运性质——电导率和霍尔效应 (球型等能面半导体)电子电导率：σe=n 空穴电导率：σ 半导体总电导率：σ= 电子迁移率：单位外电场作用下电子的定向漂移速度，μ 霍尔系数：霍尔系数符号可判断半导体载流子类型，其数值可推算载流子数密度 对N型半导体Rn=-1∕n? 霍尔因子：若进一步考虑载流子速度差异(分布)，则要乘修正因子γ 它也与散射机理有关 霍尔迁移率：μ 第五节 非平衡载流子（光照射偏离热平衡） 弛豫过程：在非平衡过程（产生和复合）中，非平衡少子数密度的变化更为突出 价带电子吸收光子能量跃迁至导带形成载流子，这一阶段称为产生 撤去光照后电子将与空穴复合消失，非平衡少子数密度最终趋向平衡值 少子寿命：少子数密度衰减至1/e所需的时间，它取决于复合过程 直接复合中少子寿命长，真正决定少子寿命的是深能级（间接复合） 复合机理：分为直接复合与间接复合 直接复合：导带电子释放约等于禁带Eg的能量跃迁到价带；它是本征过程 ①辐射复合：电子能量以发射光子的形式释放 ②无辐射复合：电子能量转移给晶格振动（声子） ③俄歇复合：电子能量转移给另一电子使其激发到高能态 对间接带隙半导体，直接复合需要声子参与，故发生概率极小（发光效率低） 间接复合：它涉及电子在深能级与导带/价带之间的跃迁 ①电子俘获：导带电子跃迁至深能级（复合中心） ②电子发射：复合中心向导带发射电子 ③空穴俘获：复合中心向价带发射电子（即价带空穴跃迁至深能级） ④空穴发射：价带电子跃迁至复合中心（即复合中心向价带发射空穴） 少子扩散：在施加扰动后，少子浓度在注入点最高，少子数密度在空间上分布不均匀 扩散机理：一般 DeDp 第六节 PN结 内建电场：P区和N区费米能级不同，接触时必处于非平衡态 从而N区电子向P区扩散，P区空穴向N区扩散 导致在N/P区边界形成正/负电荷积累，形成自N区指向P区的内建电场 它形成漂移电流，方向与扩散电流相反 弛豫过程：内建电场将阻碍扩散过程，直至扩散电流与漂移电流相等，达到平衡 此时P区和N区费米能级相等(处于禁