《电力电子技术》第1章课后习题答案.docVIP

1.1 晶闸管导通的条件是什么？由导通变为关断的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK0且uGK0。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶 闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导 通的晶闸管关断。 晶闸管非正常导通方式有几种？ （常见晶闸管导通方式有5种，见课本14页，正常导通方式有：门级加触发电压和光触发） 答：非正常导通方式有： (1)?Ig=0，阳极加较大电压。此时漏电流急剧增大形成雪崩效应，又通过正反馈放大漏电 流，最终使晶闸管导通； (2)?阳极电压上率du/dt过高；产生位移电流，最终使晶闸管导通 (3)?结温过高；漏电流增大引起晶闸管导通。 1.3 试说明晶闸管有那些派生器件。 答：晶闸管派生器件有：（1）快速晶闸管，（2）双向晶闸管，（3）逆导晶闸管，（4）光控晶闸管 1.4 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2 分别具有共基极电流增益 α1 和α２，由普通晶闸管的分析可得，α1 + α 2 = 1 是器件临界导通的条件。α1 + α 2＞1 两个等效晶体管过饱和而导通； α1 + α 2＜1 不能维持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： 1） GTO 在设计时 α 2 较大,这样晶体管 T2 控制灵敏,易于 GTO 关断; 2)GTO 导通时 α1 + α 2 的更接近于 l,普通晶闸管 α1 + α 2 ≥ 1.5 ,而 GTO 则为 α1 + α 2 ≈ 1.05 ，GTO 的饱和程 度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件; 3)多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得 P2 极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 1.5 GTO为何要设置缓冲电路？并说明其作用。 答：GTO设置缓冲电路的目的是：降低浪涌电压；抑制du/dt和di/dt；减少器件的开关损耗；避免器件损坏和抑制电磁干扰；提高电路的可靠性。 1.6 简要说明大功率晶体管BJT与小功率晶体管作用有何不同。 答：大功率晶体管耐压高，电流大，开关特性好，主要工作在开关状态。小功率晶体管用于信息处理，注重单管电流放大系数，线性度，频率响应以及噪声和温漂等性能参数。 1.7 如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？ 答：电力MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受电干扰而充上超过20的击穿电压，所以为防止MOSFET 因静电感应而引起的损坏，应注意一下几点： （1） 一般不用时讲其三个电极短接； （2） 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须 接地； （3） 电路中，栅、源极间长并联齐纳二极管以防止电压过高； （4） 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 1.8 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？ 答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 1.9 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？ 答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt或过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 1.10 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。 答：对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表： 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力M