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- 2019-10-19 发布于湖北
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一致性: 匹配器件的质心尽量一致 对称性 阵列的排布应关于X轴Y轴对称 分散性: 阵列应具有最大可能的分散性,器件的各段应均匀分布在阵列中 紧凑型:应尽可能紧凑,最好是正方形 二维对称轴,更好地消除梯度作用 称之为交叉耦合对, 电阻很少排列成交叉耦合对,电容、MOS管经常采用 由于电阻的温度系数,设温度系数是2500ppm/C,则两电阻相差一度, 则失配0.25% 特别是有功率器件时 越远离功率器件, 热梯度越小 热分布的对称轴取决于功率器件的位置和方向 器件应该置于芯片的的轴上产生对称的热分布,尽可能远离匹配器件,倾向于中央, 只要两种材料接触,就会形成接触电势差,半导体金属的接触电势差受温度强烈影响,如果接触发生在不同的温度,电阻两端表现为电势差。 1℃将产生0.4mV电势差 分成偶数段 一半一个方向 静电场会引起载流子的耗尽和积累, 电阻容易受到电压调制的影响, 电容受周围电场耦合会引起电容值变化 静电场也能把噪声耦合到匹配电阻和电容阵列的高阻节点。 扩散电阻可能随着隔离岛和电阻体区电压差的变化而变化 保持隔离岛-体区的电压差相同,即可消除失配,如果电阻等值,偏压相同,就放置在同一隔离岛内。 采用方块电阻较小的电阻,电压调制也较小 多晶电阻无隔离岛 不连接匹配电阻的走线不能从电阻上穿过,不仅耦合噪声,而导线和电阻间的电场会调制电阻的电导率, 如2k
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