电力电子技术-2.3-GTO与GTR.pptxVIP

2.4 典型全控型器件·引言门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。1-典型全控型器件·引言常用的典型全控型器件电力MOSFETIGBT单管及模块1-2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO）晶闸管的一种派生器件。可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用(6KV,6KA,10MVA的系统)。1-KKGGGANNP222GN1KP1Ac)a)b)图1-132.4.1 门极可关断晶闸管1）GTO的结构和工作原理结构：与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。图1-13 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号1-门极可关断晶闸管工作原理：与普通晶闸管一样，可以用图1-7所示的双晶体管模型来分析。 由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益?1和?2 。 ?1+?2=1是器件临界导通的条件。 ?1+?2