低频电子电路3章-(半导体受控器件的分析).pptVIP

第三章 半导体受控器件的分析 因半导体PN结的复杂性，导致非线性导电具有区域特性，区域特性是分析的关键点。 ---------具体包含： 区域条件 区域模型与表达方式 《低频电子电路》 总论： 3.4 应用目标、非线性元器件的区域特性和分析方法的选取 3.2 非线性受控器件的求解分析与应用 3.1 非线性半导体元器件的分析概述 第三章 半导体受控器件的分析 回顾第一章分析 具体方法 大范围锁定工作点 3.3 直流工作点分析 《低频电子电路》 1. 明确非线性元器件工作区域 2. 明确非线性元器件是否需要工作点平台 第三章 半导体受控器件的分析 3.1 非线性半导体元器件的分析概述 3.1 非线性半导体元器件的分析概述 回顾第一章例题 1.3.2 或门电路 （二极管上电压在大范围的内确定) 第三章 半导体受控器件的分析 回顾第一章例题 1.4.3 全波整流电路 （二极管上电压在大范围内变化) 第三章 半导体受控器件的分析 回顾第一章例题 1.3.2 电位平移电路 （二极管上电压在导通区内的较小范围变化) 工作点 第三章 半导体受控器件的分析 . 要点：输出应属高低电位情况，即是在非线性大范围内求点。 具体步骤：分别以两种输入电平出发来分析。 3.2 非线性受控电流器件的求解分析 3.2.1 晶体管非门基础电路 第三章 半导体受控器件的分析 已知：输入只有5V和0V两种情况。 要点：发射结反偏，集电结反偏。---管子截止，输出高电位5V。 要点：管子导通（放大、饱和或击穿）---电阻参数合理情况下，管子可以处于饱和，输出低电位(约等于0V)。 3.2.1 晶体管非门基础电路 第三章 半导体受控器件的分析 要点：管子导通（放大、饱和）。 第三章 半导体受控器件的分析 在电阻 或 较大情况下，管子均可以处于饱和状态，输出低电位约等于0V。 管子处于放大区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。 3.2.2 晶体管微变等效电路分析法及条件 第三章 半导体受控器件的分析 说明如下： 第三章 半导体受控器件的分析 放大情况-小信号基础电路模型 （1）输入与二极管相似 （2）输出 受 的控制 按结构精细化模型 发射极E 基极B P N N + 集电极C 发射结 集电结 第三章 半导体受控器件的分析 参数的数学表达 第三章 半导体受控器件的分析 （1） 其中，（1）参数 的为放大情况下的发射结交流小信号等效电阻；（2）低频晶体管 为200 ?300?，高频晶体管约几十欧姆。 第三章 半导体受控器件的分析 （2） 参数的数学表达 放大倍数与跨导的关系 第三章 半导体受控器件的分析 （3） 参数的数学表达 即： 条件：管子处于饱和区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。 3.2.3 场效应管微变等效电路 第三章 半导体受控器件的分析 电路模型 第三章 半导体受控器件的分析 注：各种场效应管的小信号特性相同。 饱和时，输入电阻极大 场效应管衬底（或背栅）跨导 第三章 半导体受控器件的分析 参数的数 学 表 达 （2） （3） （4） （1） 按结构精细化小信号模型说明 第三章 半导体受控器件的分析 要点：直流电源作用下的计算问题。 具体步骤：（1）直流通路 3.3 直流工作点分析 3.3.1 工作点的建立及近似计算 （2）近似计算法或作图法的选择 第三章 半导体受控器件的分析 具体步骤：（1）画出直流通路（c） ,其中 E0 3.3.1 工作点的建立及近似计算 （2）近似计算法或作图法的选择 双电源供电方案 第三章 半导体受控器件的分析 结论分析：计算结果显然与放大区假设矛盾，计算结果不可信。 采用近似计算方法 （2）晶体管特性描述 第三章 半导体受控器件的分析 VBE(on) 、β、 ICBO ≈0 （3）设其它元器件参数已知 （1）假设晶体管处于放大区 晶体管PN结必然均处于反偏状态。即 采用近似计算方法 第三章 半导体受控器件的分析 在 E0条件下，晶体管发射极反偏，基极电流不可能小于0。结合上述计算 判断计算结论与之前“放大区”假设是否矛盾，若不矛盾，则计算结果可信。 采用近似计算方法的要点 第三章 半导体受控器件的分析 首先，假设晶体管处于放大区，并按放大区计算。 若矛盾，则应结合计算结果，正确判断晶体管所处区域，再根据该区域的情况另行计算。 作图法