用垂直结构提升GaN功率器件的性能-化合物半导体.pdfVIP

技术技术 | Technology –| Technology – 功率电子功率电子 用垂直结构提升 GaN功率器件的性能 垂直结构成为制造具有高工作电压、小外形和高可靠性晶体管的关键 IsikKizilyalli, AVOGY 16 化合物半导体 2016年第2期 技术技术 | Technology – | Technology – 功率电子功率电子 我们无法想象一个没有电的世界。因为电能 200V 的直流电需要转换成驱动马达用的650V 三 是我们用得最多的能源，从我们的电脑、 相交流电。 电视到时钟、照明灯和网络，任何设备都需要 这些功率电子系统的核心部件是半导体器 电能。 件、栅极驱动器和控制器电路。这些目前都采用 在不同的环境里我们需要不同形式的电能。 硅基器件，它是肖特基二极管和p-i-n 二极管的 因此，就需要有一个功率电子接口来控制电源的 结合，以及其他类型的晶体管，如MOSFET 和 频率、幅度及其相位。用这种方法来进行电功率 IGBT 等。 转换的实例有：笔记本电脑的充电器、太阳能逆 由于硅基功率电子器件在可靠性和性能上的 变器和电动汽车电源控制器等。笔记本电脑充电 优越性，使得进行电压控制的电气系统变得更有 器将来自插头的交流电转换成 19V 的直流电，插 效率、更轻和更小。但是这种趋势在未来几年内 头的交流电电压根据不同国家的标准从 110V 到 将很难再延续下去，因为硅器件的性能已经快达 260V 不等；太阳能逆变器则是将48V 的直流电 到其自身的极限了。 转换为220V 的交流电；而在电动汽车中，一个 目前要突破这种性能极限最好的方法就是发 化合物半导体 2016年第2期 17 技术 | Technology – 功率电子 度低至 1 ×1015 cm-3 的垂直结构器件，这些特征 使得我们的器件能够获得一个很大范围的击穿电 压值。 为什么要采用GaN ？ 我们选择GaN 材料来制造我们的器件，是因 为GaN 的性能比SiC 要好，也远远超过硅的性能。 GaN 及其合金材料的优势包括有：大的禁带宽度， 保证了它在高温工作时其本征载流子浓度很低； 良好的输运性能，例如具有高的电子迁移率和高 的饱和速度；以及具有高的临界击穿电场和高的 热导率。 要对一个功率器件进行评分，就一定要结合 图1. 不同禁带宽度半导体功率器件的品质因数对比。 它的阻断和导电性