顶钉扎自旋阀中缓冲层的优化研究刘华瑞#任天令#刘理.pdfVIP

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2019-11-02 发布于湖北
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第卷第期增刊仪器仪表学报年月 $( ( $9 ’ 顶钉扎自旋阀中缓冲层的优化研究 ! # # # $ 刘华瑞任天令刘理天李伟 # 清华大学微电子所北京 $ 深圳华夏磁电子公司深圳 % #’() % *#’() 摘要通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了膜双层膜和顶钉扎自旋阀薄膜研究了膜的 - . 7 8 . +, +,/012 3456 +,+,/012 微结构和自旋阀的磁性能结果表明缓冲层厚度直接影响它的微结构从而影响自旋阀的磁电阻率矫顽力和交换场等性 7 - - 8 +, 能通过工艺改进和结构优化得到了缓冲层的最佳厚度此时自旋阀的磁电阻率和交换场 9 7 - 9 7 %;$(=) %$**%#.( ) . +, 6: ?@ 达到最大值而矫顽力 9 比较小通过优化后得到的自旋阀薄膜非常适合于工业自动化和汽车工业中的 :) - %$(9%#.( ) . ) 7 ?@ : 高性能A5B传感器的应用7 关键词巨磁电阻自旋阀缓冲层 +, CDDEFGHD!IJDDEKLMEKNOPKQO!HRSRNOTUTE # # # $ V0WXW,4W0 B26+0,6Y06Z V0WV0[0,6 V0 \20 ] % - ]tttuv- ) ^_‘abacadefgbhiedjdhaie_bh‘ k‘b_lmcno_bpdi‘baq rdbsb_l wmb_n x % !]uttv- ) ycnzbngnl {jdh wei| }md_~md_ wmb_n - . #$GKFG +,%06ZY2Y,24