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第 26 卷 第 11 期 半 导 体 学 报 Vol . 26 No . 11
2005 年 11 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Nov . ,2005
多晶硅薄膜的高温压阻效应
1 1 1 ,2 1 1
霍明学 刘晓为 张 丹 王喜莲 宋明浩
( 1 哈尔滨工业大学 M EM S 中心 , 哈尔滨 15000 1)
(2 黑龙江大学电子工程学院 , 哈尔滨 150080)
摘要 : 利用 L PCVD 制备重掺杂多晶硅薄膜 ,在 0～560 ℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究 , 同时对多晶硅
薄膜应变系数随温度的变化 , 以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究. 结果表
明 ,利用多晶硅材料制作的压敏电阻 ,其最高工作温度可以达到 560 ℃以上.
关键词 : 压阻效应 ; 多晶硅 ; 应变系数
EEACC : 2520C PACC : 7280C
中图分类号 : O738 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2005) 112 11505
1 引言 2 样品制备
作为压阻材料 ,单晶硅与多晶硅薄膜在压力传
2 . 1 淀积多晶硅薄膜
感器与加速度传感器等许多 M EM S 器件中有极其
广泛的应用. 由于利用单晶硅材料制备压敏电阻时 μ
利用 L PCVD , 在表面长有 500 m SiO2 层 的
采用 p n 结隔离 ,当工作温度超过硅的本征温度后 , 75mm ( 100) 硅片上淀积多晶硅薄膜. 为了研究淀积
p n 结隔离失效. 因此由单晶硅材料制备的上述传感 温度对薄膜结构的影响 ,分别在 625 ,650 ,700 ,750 ,
器无法在高温下工作. 与此相反 ,多晶硅材料在高温 μ
800 和 900 ℃下 ,制备厚度为 1 m 的多晶硅薄膜. 另
条件下却表现出良好的压阻特性. 同时多晶硅材料 外 ,在 700 ℃下淀积一组膜厚分别为 02 , 06 , 10
简单的工艺制备过程及低廉 的价格使其颇受青 μ
和 14 m 的样片.
睐[ 1 ,2 ] . (
其他淀积条件为 :硅烷 133 %稀释于 He 气体
在过去的三十年里 ,有关多晶硅织构及掺杂浓 )
中 ,流量约 15mL/ min ,反应室压力为 53～107 Pa .
度对其应变系数的影响得到深入研究. 另外 ,对多
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