直流反应溅射和射频反应溅射.docVIP

直流反应溅射和射频反应溅射 直流反应溅射和射频反应溅射的主要问题为: 直流反应溅射不稳定、工艺过程难控制、溅射速率较低; 射频反应溅射设备贵、匹配困难、有人身防护问题、射频电源功率低，溅射速率较低。当然，对于绝缘靶材来说，仍然不得不使用射频溅射工艺。 在化合物溅射过程中，开始通入Ar，然后逐渐增加反应气体(O2、N2等)，在反应气体刚通入之初，溅射速率变化并不大，当反应气体达到某一极限值时，溅射速率呈现出明显的变化，然后，继续增加反应气体，溅射速率又呈现平稳的趋势。实验发现，这个走向的逆过程在一定区间内往返的曲线不重合，出现“滞回曲线”。这就是所谓“靶中毒曲线”(如图2.1所示)。 图2.1 靶中毒曲线图 反应溅射刚开始时，阴极周围接地的各种构件表面清洁，畅通接地。逃逸出等离子体约束的电子将飘移到这些接地的表面，形成回路，溅射运行正常。被溅射出来的化合物粒子通常是绝缘的，在继续的溅射过程中逐渐沉积在上述接地构件表面，使原来作为阳极的接地表面逐渐缩小。最后，阳极表面完全被绝缘物覆盖，逃逸电子没有去处，形成“阳极消失”现象。阳极消失现象使辉光放电阻断，放电过程变得越来越不稳定，最后导致频繁的异常弧光放电。如果不消除阴极消失现象，直流反应溅射根本就无法运行。 化合物溅射过程中频繁出现的弧光放电现象长期以来都是难以克服的问题。近几年对弧光放电的机理进行了系统的研究，对磁控溅射电源供电模式进行了多方面的改进，开发出一系列实用的新供电模式，例如A2K( Action Arc Killing)自动灭弧电源、非对称脉冲电源、中频交流磁控电源等。 1996年Leybold 推出多年研发的中频交流磁控溅射（孪生靶溅射）技术，消除了“阳极消失”效应和阴极“中毒”问题，大大提高了磁控溅射运行的稳定性，为化合物薄膜的工业化大规模生产奠定了基础[139]。最近在中频电源上又提出短脉冲组合的中频双向供电模式，运行稳定性进一步提高。 交流溅射的电源电压波形可以是对称的，也可以是不对称的。通常将电源电压波形为对称方波或正弦波的交流溅射称为中频溅射；而将电源电压为不对称的矩形波的交流溅射称为脉冲溅射。在中频反应溅射过程中，当靶上所加的电压处于负半周时，靶面被正离子轰击溅射；而在正半周时，等离子体中的电子被加速到达靶面，中和靶面上绝缘层上沉积的正电荷，从而抑制了打火。 （2-1） tB为电荷累计至击穿的时间，Ji为正离子密度。交变溅射电源的频率必须大于1/tB，对于具有不同εr（相对介电常数）和EB（击穿场强）的化合物薄膜，频率通常要大于10kHz。但是在确定的工作场强下，功率越高，等离子体中正离子被加速的时间越短，正离子从外电场吸收的能量就越少，轰击靶的正离子能量也越低，靶的溅射速率也越低。S. Schiller计算得出，在典型的磁控溅射工作场强300V/cm的情况下，电源频率为300kHz时，离子的最大动能约为300eV，频率升高到500kHz时，离子最大动能只有210eV。Este和 Westwood研究了铝靶磁控溅射中溅射电源频率与溅射速率的关系，得出在频率为60kHz、80kHz、500kHz和13.056MHz时的溅射速率是直流溅射时的100%、85%、70%和55%。因此为了维持较高的溅射速率，在满足抑制靶面打火的前提下，电源频率选取较低的值，一般不应高于60kHz。由于溅射电压的频率范围处于10-80kHz范围，因此这种溅射又称中频溅射。中频溅射常用于同时溅射两个靶，并排的两个靶尺寸与外形完全相同，因此这两个靶也常称为孪生靶。孪生靶在溅射室中悬浮安装。在溅射过程中，两个靶周期性轮流作为阴极与阳极，抑制了靶面打火和 “阳极消失”现象，使溅射过程能稳定地进行。 中频溅射在国外目前已经得到推广应用，它已经被证实具有以下的优点： (1)可以得到高的沉积速率。Beibwenger等人实验比较了Si靶直流反应磁控溅射与中频反应磁控溅射，在靶功率密度是前者三倍的情况下，中频反应溅射的沉积速率是磁控反应溅射速率的十倍。 (2)溅射过程可以始终稳定地工作在设定的工作点上。 (3)由于消除了打火现象，中频反应溅射制备的绝缘膜与直流反应溅射制备的同种膜相比，缺陷密度要小几个数量级。