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环境光催化材料与光催化净化技术;第二章 光催化材料的结构表征与测试技术;2.3光学性质分析;;2.3.2 固体光致发光光谱;出现全新的发光带;1、发光光谱 带隙能量
发光峰 能量消耗复合作用 光催化活性
2、发光峰 复杂的表面态能级和激子复合
3、对同一种材料，不同激发波长得到的光致发光光谱不同
;The title only layout here;2.4 表面和界面结构分析;图2 不同温度焙烧的ZnO 表面O 元素(a)和Zn 元素(b)的XPS
a~d 分别对应焙烧温度为320℃、430℃、550℃、700℃;;2.4.2 顺磁共振技术;;图4 室温下ZnO 纳米粒子的ESR信号(a)
以及不同ZnO 纳米粒子的ESR强度与粒径关系;图6 钛酸盐Na2Ti3O7的纳米线(1)与纳米管(2)的顺磁共振谱，模拟曲线(3)是超氧负离子(4)和未知顺磁缺陷的组合普(5);2.5 光电化学研究方法;2.5.1 光电化学理论基础;图7 n型半导体和电解质界面平衡前后的能级模型(a)和平衡时的界面经典模型(b);图8 n型半导体光电化学原理图
(a) 膜电极电荷激发迁移简单示意图；(b)半导体溶液界面的能级模型;; Vm=Vsc+Vfb (1-4)
调节外电压，当施加正向偏压时，Vsc增大促进电子和空穴分离；当施加负向偏压，Vsc减小，使得Vs为零时对应的外加电压值成为平带电压Vfb。
n型：Vfb=Ecs-μ； p型：Vfb=Evs+μ (1-5)
n型半导体表面导带电位和平带电位差μ；p型半导体表面价带电位和平带电位差μ，μ是一个在0.1~0.2eV间的数值
Vfb=Ecso-μ+2.3kT(pzc-pH) (1-6)
pzc表示零电荷点对应的pH值，每变化一个pH单位平带电位变化2.3kT，即0.059V/pH。;2.5.2 表面光电压谱和电场诱导表面光电压谱;图9 能带件的跃迁引起的半导体表面光电压响应
(a) n型半导体；(b)p型半导体
其中Vso_光照前的表面势垒，Vs※_光照后的表面势垒;电场诱导表面光电压谱(EFISPS);图12 稳态表面光电压谱装置简图
1-点源；2-单色仪；3-斩波器；4-透镜；
5-样品池；6-外电场；7-锁相放大器；
8-点源；9-计算器；10-打印机;图14 TiO2 纳米粒子SPS和EFISPS;2.5.3 能带位置和平带位置;确定能带位置的意义;如何确定能???位置;一、通过第一性计算; 二、从绝对电负性进行估算 ;表2 几种半导体氧化物光催化的绝对电负性、带隙和等电点处导带位置
E0CB=X－EC－0.5Eg=5.81－4.5－0.5×3.2=－0.3（eV）
;; 三、通过测定平带点位实验获取 ; 2.5.3.2 平带点位的测定方法 ;;一、光电化学方法：（有性能优良膜电极）;二、光谱电化学法;三、电化学法;四、悬浮液光电压法;悬浮液光电压法原理;2.5.4光电化学研究方法;一、电流-电压谱;;二、光电流活性谱;三、非稳态光电流;四、电化学阻抗法;谢谢
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