吸收透明导电薄膜生长与复光学常数测定.docxVIP

文章编号 : 100022618 (2002) 022 文章编号 : 100022618 (2002) 022 00012 07 吸收透明导电薄膜生长与复光学常数测定 马晓翠 , 舒启清 (深圳大学理学院 , 深圳 518060) 摘 要 : 用带特殊热 (冷) 阱的可控制基片温度的电阻加热式真空蒸镀薄膜装置 , 把吸 收透明导电薄膜 Au 和 In2 O3 分别通过热蒸镀和活化反应淀积在玻璃基片上. In2 O3 的电阻为 80 Ω/ □, 光学透射率不小于 80 %. 透明导电薄膜的复光学常数可通过测量其反射和透射系 数得到 , 但考虑到基片背表面的存在 , 必须对反射和透射系数进行修正. 引入修正后所得到 的复光学常数与椭偏测量的结果一致 . 关键词 : 吸收透明导电薄膜 ; 反射系数 ; 透射系数 ; 复光学常数 中图分类号 : O 48414 + 1 文献标识码 : A 引 言 吸收透明导电薄膜广泛用于制作各种平板显示装置的透明电极 , 包括液晶显示屏和有机 发光二极管等1 ,2 . 这类薄膜中最常用的是小于 30 nm 的金属薄膜 (如 Au 、Ag 和 Cu 薄膜) , 以及 Cd2 SnO4 (cadmium2tin2o xide , C TO) 薄膜和掺 Sn 的 In2 O3 (indium2tin2o xide , I TO) 薄 膜3 26 . 复光学常数 n2i k ) 是表征吸收透明薄膜性质的重要参数7 . 本文给出一种可控制 ( 基片温度的热蒸发薄膜生长设备 , 讨论了通过测量生长在透明基片上的吸收透明导电薄膜的 反射系数和吸收系数获取其复光学常数的方法. 通常 , 求解薄膜复光学常数的计算公式是假 设薄膜位于一个半无限的衬底 (基片) 介质上得到的 . 但是 , 对任一用于测量薄膜反射和透 射系数的实际多层膜光学系统 , 其薄膜实际上都是淀积在一个尺寸有限的衬底 (基片) 介质 上 . 因此 , 当用测量所得的薄膜的反射和透射系数来计算复光学常数时 , 必须对测量数据进 行衬底背表面修正. 最后 , 把引入修正后计算所得的复光学常数与椭圆偏振仪的测量值进行 了比较. 1 实 验 图 1 是电阻加热式真空蒸镀薄膜装置的示意图. 它的主要部件是一个便于拆卸的可控制 样品温度的圆杯形热 (冷) 阱 , 其设计上的独到之处是杯外壁四周上有一个防止与外界热交 换的真空隔离区 , 试样支承杯形热 ( 冷) 阱底部固定连接成一体. 当加热样品时 , 可在热 (冷) 阱内放置一个作为加热电阻的铜柱 , 加热温度由调压器控制. 当冷却样品时 , 可在热 收稿日期 : 20022 022 06 基金项目 : 深圳市科技局资助项目 ( 200012) , 深圳大学科研基金资助项目 ( 9913) 作者简介 : 马晓翠 ( 19532) , 女 ( 汉族) , 吉林省长春市人 , 深圳大学副教授. E2mail : maxiaocui @1631net 2 深圳大学学报 (理工版) 第 19 卷(冷) 阱内放冰块或注入液氮. 2 深圳大学学报 (理工版) 第 19 卷 (冷) 阱内放冰块或注入液氮. 真空室内的两个蒸发源可以同时工作 , 分别蒸发不同的材料. In2 O3 薄 膜 用 活 化 反 应 法 制 备 : 99199 %的金属 In 用钼舟在 6 ×10 - 2 Pa 的纯氧气气氛中淀积在温度为 300 ℃的 玻璃 基 片 上 , 反 应 生 成 In2 O3 . In2 O3 膜的 淀 积 速 率 为 011 nm/ s , 膜 厚 125 nm , 其 电 阻 为 80 Ω/ □ (Ω/ □为 薄 膜 的 方 块 电 阻 ) , 光 学 透 射 率 不 小 于 80 %. Au 薄膜用一个表面涂敷有 Al2 O3 的 由 钨 丝 绕 成 的 篮 形 蒸 发 器 , 把 99199 %的 Au 淀积在温度为 77 K ( 液 图 1 带特殊热 ( 冷) 阱的电阻加热式 真空蒸镀薄膜装置示意图 A schematic of a resistance2thermal vacuum 氮温度 ) 的 玻 璃 基 片 上 , 蒸 发 速 率 为 011 nm/ s , 膜厚为 26 nm. 薄膜厚度由 石英振荡膜厚控制仪实时监测读数 , 温 度测量用一个置于样品支承的热电偶完 成 (图 1 未示出) . 薄膜反射和透射系数的测量以 He2 Ne 激光器 (