第五章 晶体管高频等效电路 5-2.pptVIP

* 5.2 晶体管高频等效电路 射频集成电路主要工艺 双极（Bipolar）：纯双极、BiCMOS和SiGeHBT（异质结） 砷化钾 GaAs（一种化合半导体材料）——具有最高的工作 频率：50~100GHz；在超高速微电子学和光 电子学中应用广泛 双极晶体管较之CMOS晶体管的优点： 1、在相同的偏置电流下 跨导大 2、有较高的增益带宽积 由于跨导与偏置电流成正比，结果：在较小的功耗下可获得大增益；提高工作频率（低于10GHz） 三种双极工艺器件的截止频率： CMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容 3GHz以上 工艺技术 截止频率 (GHZ) Bipolar 25 – 50 BiCMOS 10 – 20 SiGe HBT 40 - 80 共射放大器原理图 基极偏置VBEQ 决定基极偏置电流 IBQ 集电极电源 VCC 负载电阻 RL 共同决定工作点Q 输入信号为 , 当 ( ) 时 晶体管可用其等效电路代替 5.2.1 双极型晶体管共射小信号等效电路 输出电流公式 混合 型等效电路 ①理解电路中各元件的物理意义 从两个层次上加强对等效电路的理解 ②理解晶体管作为放大器的本质 注意两点 ①电路中的所有参数均与工作点Q有关 ②该电路是交流小信号等效电路 晶体管作为放大器的本质 一个电压控制的电流源 ——正向传输 放大器的输入阻抗，电阻和电容 、 放大器输出电阻 （很大） 极限工作频率 (特征频率)－－ 由等效电路中的电容引起 反向传输器件 引起放大器不稳定 c e *