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版图设计与工艺 方健 微电子与固体电子学院 2005年7月 内容提纲 微电子技术发展动态 CMOS工艺和版图 CMOS设计规则 版图验证 布局布线算法 1.微电子技术发展动态 器件的特征尺寸不断缩小 自1965年提出摩尔定律近40年来，集成电路持续地按此定律增长，即集成电路中晶体管的数目每18个月增加一倍。每2-3年制造技术更新一代，这是基于栅长不断缩小的结果，器件栅长的缩小又基本上依照等比例缩小的原则，促进其它工艺参数的提高。预计未来10-15年摩尔定律仍将是集成电路发展所遵循的一条定律，按此规律，在21世纪初集成电路的基本单元CMOS器件将从亚半微米进入纳米时代(即器件的栅长小于100nm，2010年后将小于50nm)。 系统集成芯片(SOC) 沿着上述持续缩小尺寸途径发展、随着集成方法学和微细加工技术的持续成熟，应用领域的不断扩大，因此，不同类型的集成电路相互镶嵌，形成了各种嵌入式系统(Embedded System)和片上系统(System on Chip即SOC)技术，在实现从集成电路(IC)到系统集成(IS)过渡中，“硅知识产权(IP)模块”和“软、硬件协同设计”技术兴起，可以将一个电子子系统或整个电子系统“集成”在一个硅芯片上，完成信息加工与处理的功能。 集成系统芯片(SOC)，主要有三个关键的支持技术： 软、硬件的协同设计技术：面向不同系统的软件和硬件的功能划分理论，硬件和软件更加紧密结合不仅是SOC的重要特点，也是21世纪IT业发展的一大的趋势； IP模块库：IP模块有三种，即软核(主要是功能描述)、固核(主要为结构设计)和硬核(基于工艺的物理设计，与工艺相关，并经过工艺和实际应用考验过的)。其中以硬核使用价值最高。CMOS的CPU、DRAM、SRAM、E2PROM和Flash Memory以及A/D、D/A等都可以成为硬核，其中尤以基于超深亚微米的器件模型和电路模拟基础上在速度与功耗上经过优化并有最大工艺容差的模块最有价值； 模块界面间的综合分析技术：这主要包括IP模块间的胶联逻辑技术和IP模块综合分析及其实现技术等 微电子与其它学科结合，带动一系列交叉学科及相关技术和产业的发展 . 由于微细加工不断成熟和应用领域不断扩大，带动一系列交叉学科及其有关技术的发展，例如微电子机械系统(MEMS)、微光电系统(MOES)、DNA芯片、二元光学、化学分析芯片以及作为电子科学和生物科学结合的产物——生物芯片的研究开发等都将取得明显进展。 其技术突破的关键点有以下几个方面 纳米级光刻及微细加工技术 器件特征尺寸的缩小，取决于曝光技术的进步，在0．07μm阶段，曝光技术还是一个问题，预计再有1—2年左右时间可获突破。在65nm以下是采用Extra UV还是采用电子束的步进光刻机，还正在研究之中。为适应技术的发展，极限紫外线、X射线、准分子激光等超微细图形曝光技术等将成为今后几年主要的工艺技术而获得更广泛的应用，先进的集群式全自动智能化综合加工系统将成为新一代的IC制造设备。 铜互连技术 铜互连技术已在0．18μm和0．13μm技术代中使用，但是在0．10μm以后，铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用时的可靠性问题还有待研究开发。 20nm以下浅结与掺杂工程技术 亚50纳米半导体器件的器件模型和新型器件结构 工艺集成技术 为了在一块芯片上实现完整的系统，需要各种兼容技术。包括常规CMOS 数字电路与存储器(如RRPROM、Flash memory、DRAM等)的兼容技术；CMOS与双极的兼容技术；高压与低压兼容技术、数字与模拟兼容技术、高频与低频兼容技术等。 设计与测试技术 在电路设计中更重视系统设计、IP的开发与复用、软硬件协同设计、先进设计语言的推广、设计流程与工具的开发、SOC设计平台的开发、低功耗设计、可测性设计、可靠性设计等。 组装和封装技术 练习及思考: 当前，微电子芯片技术和其它领域技术相结合的典型成功范例主要在哪两大领域？（2分） 什么是SOC? 其三个关键支撑技术是什么? 什么是摩尔定理? 你认为摩尔定理是否永远有效? 当前微细加工的技术发展趋势是什么? 2. CMOS工艺和版图 版图识别 如图所示一个P阱CMOS电路版图。图上仅画出P阱，多晶硅，扩散区，P注入区，孔及金属区等6层。请由此版图：（1）提取出以晶体管及其连线表示的电路原理图。（2）指出各管子的宽长比。（3）你能否猜出这个版图是作什么用的？（4）图上许多地方均开了一排排的孔，这是干什么用的？（只须一句话讲出就可以）（16分） 3. CMOS设计规则 (5分）版图设计，工艺非常重要，请简要说明与工艺密切相关、设计人员必须了解的一些工艺参数。 请简