Ag掺杂AlN半导体光电性质的第一性原理研究.pdfVIP

第３１卷 第５期 计　 　 算　 　 物　 　 理 Ｖｏｌ．３１，Ｎｏ．５ ２０１４年９月 　 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＣＯＭＰＵＴＡＴＩＯＮＡＬ ＰＨＹＳＩＣＳ　 Ｓｅｐ． ，２０１４ 文章编号：１００１⁃２４６Ｘ（２０１４）０５⁃０６１７⁃０８ Ａｇ掺杂ＡｌＮ半导体光电性质的第一性原理研究 ∗ 邓军权，　 毋志民 ，　 王爱玲，　 赵若禺，　 胡爱元 （重庆师范大学物理与电子工程学院，重庆　 ４０１３３１） 摘　 要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法，对Ａｇ掺杂ＡｌＮ３２原子超晶胞体系进行几何结 构优化，计算并分析体系的电子结构、磁性和光学性质．结果表明：Ａｇ掺杂后，Ａｇ４ｄ态电子与其近邻的Ｎ２ｐ态电子 发生杂化，引入杂质带形成受主能级，实现ｐ型掺杂，使体系的导电能力增强，同时表现出金属性和弱磁性，其净磁 矩为１３８μ ．