一章常用半导体器件教案资料.pptVIP

第一章 常用半导体器件;第一节 PN结及其单向导电性;一、半导体的导电特点;+4;N型半导体;P型半导体;返回; 1. PN结的形成; 外电场方向与内电场方向相反 空间电荷区(耗尽层)变薄 扩散＞漂移 导通电流很大 ,呈低阻态。 ;外电场与内电场相同 耗尽层加厚 漂移＞扩散 少子形成反向电流IR，很小，呈高阻态。;第二节 半导体二极管;一、半导体二极管的伏安特性;二、半导体二极管的主要参数;例1、如图，当E＝5V时， I＝5mA，则 E=10V，I＝（ ） A. I＝10mA B. I 10mA C. I＜10mA D. 不确定;O; 例3、如图，E＝6V，二极管正向压降忽略不计，画出 uo波形。;例4、二极管组成电路如图，设二极管导通电压为0.3V，试求输出电压UF 。;第三节 特殊二极管; 稳压管是一种特殊的二极管，具有稳定电压的作用。; 1) 稳定电压UZ 正常工作下，稳压管两端电压。 同一型号的稳压管分散性较大。 2) 稳定电流 IZ 正常工作下的参考电流。 大小由限流电阻决定。 3) 动态电阻rZ rZ =△U/△I rZ 越小，稳压效果越好。;4) 温度系数αu 温度改变1℃，稳压值改变的百分比。 其值可正，可负。 5) 最大允许耗散功率PZM 管子不至于产生热损坏时的最大功率损耗值叫做最大耗散功率。稳压管工作时，功耗超过PZM ，管子将会因热击穿而损坏。 ;返回;例2、已知ui = 6sinωt，UZ =3V，画输出波形。 ;例3、图示电路中，稳压管VS1、VS2的稳压值分别为UZ1＝5V，UZ2＝7V，正向压降为0.7Ｖ，若输入电压Ui波形如图所示，试画出输出电压波形。;返回;VL;第四节 晶体管;一、晶体管的基本结构和类型;PNP型;二、晶体管的电流分配和放大原理;IE;IB; 1. 输入特性曲线;2．输出特性曲线;2．极间反向电流 ICBO：发射极开路，基极与集电极间的反向饱和电流，受温度影响大。 ICEO：基极开路，集电极与发射极间的穿透电流。; 集电极最大电流ICM IC ICM 集电极—发射极反向击穿电压UCEO 基极开路，加在集电极和发射极间的最大允许工作电压。 UCE UCEO 集电极最大允许功耗PCM ICUCE PCM;五、温度对晶体管的影响;例1：由晶体管各管脚电位判定晶体管属性 （1）? A: 1V B：0. 3V C: 3V （2 ）A: －0. 2V B: 0V C: －3V ;例2：有三只晶体管，分别为? 锗管β＝150，ICBO＝2μA；? 硅管β＝100，ICBO＝1μA； ?硅管β＝40，ICEO＝41μA；试从β和温度稳定性选择一只最佳的管子。 ;第五节 场效应晶体管;返回;返回;返回;返回;返回;返回;返回;返回;返回;返回