电性量测对半导体双量子点的影响演示教学.pptVIP

電性量測對半導體雙量子點的影響;Outline;由傳統時變薛丁格方程式可以推導，在t時刻，粒子被發現停 留在初態的機率是 ;但是在時間 裡，密集的觀察演化,可得到;;連續不斷projection，系統期望值為; Relation between conventional and dynamical formalisms in the quantum Zeno effect CREST, Japan Science and Technology Agency, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan and Department of Materials Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan (Received 5 January 2005; published 25 March 2005) The measurement-modified decay rate is calculated in two distinct formalisms , i.e., the conventional formalism and the dynamical formalism. The relation between the two formalisms is clarified, by recasting the decay rates obtained by the two formalisms into a unified form. It is shown that the dynamical formalism reproduces the conventional results only under the condition that the apparatus detects the decayed states with an identical response time. Kazuki Koshino;;Zeno-Like device;2.Model與方法-3 2m;2.Model與方法-2 1m;考慮強的電子聲子交互作用,採用費曼準粒子方法將系統重新正則化,傳輸算符重新改寫為;Master Equation 的計算;Rule;基本上,在沒有聲子的考量下,單量子點被連續量測的解為;Result and Discussion-4 05m;;Result and Discussion-3 05m;Result and Discussion-1 1m;;圖一：[上]，一個由Fujisawa與 Tarucha利用閘極規範的單量子 傳輸器(SET)。在AlGaAs/GaAs超晶格接合面下處100nm自然形 成二維電子氣，將閘極(GL，GC，GR)加入負電壓，最大調控電壓 落差在0.1meV。[下]，物理空間中的雙量子點俯視圖。首先，電子 經由窄通道(80nm)連接來源端與接收端，黑色線表金屬閘，彼此 寬約40nm。在左邊規範的量子點約15顆電子而右邊約25顆電子。 左端充電的能量約4meV與1meV(Science Oct. 1998 V282) ;圖二，[左]在低溫23mK時測到的電流隨電壓差( ) 的變化。 測到的電流來源有二，一個是屬於沒有聲子擾動下的彈性電流(虛線) ，另一個是聲子擾動下的非彈性電流(點實線)。紅圈點的地方說明了 電流在以為橫軸的分布中，不對稱的原因(寬且震盪)源自聲子的自發 性放射。[下]比較躍遷到接收端的衰減率與雙量子點耦合強度對電流 的影響。;量測行為是屬於一個更大系綜下的一個交互作用項, 理論上,倘若量測的刺激是很非常密集的，極端如量子力學的projection，這個沒有反應時間誤差的計算將等同於動態理論wide band近似。一般，拿金屬導線(wide-band)當作量測裝置時，計算上的結果與量子力學的projection預測大致相同.  2. 可證明,連續不斷的量測對系統演化的貢獻等同於一個Lorentzian性質的sincx(取樣函數)分布的擾動因子，又稱為量測因子,其量測率為傳統費米黃金率決定(常數躍遷率) 3. 這裡,我們的研究精神是利用一組可實現的半導體元件來類比量測因子的行為,間接建構一個-----在受到連續不斷的量測(projection)下,自發性衰減率(由電子與聲子交互作用形成)遭受改變的證明. 4. 一個量子點與金屬導線的組合等效於一組以同調電壓為中心位置，幅寬為量測頻率，狀態密度為Lorentz的偵測器，我們稱之為Zeno-like偵測器。所以，