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第三章 霍尔效应测量 测量方法简介 霍尔效应 （Hall effect）是导电材料中的电流 与磁场相互作用而产生电动势的效应。1879年美国霍普金 斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁 现象，故称霍尔效应。后来曾有人利用霍尔效应制成测量 磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实 际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利 用半导体材料制成霍尔元件，由于半导体的霍尔效应显 著而得到实用和发展，现在成为半导体材料电学参数测 量的重要手段；被越来越多地用来确定半导体材料的导 电类型、载流子浓度以及禁带宽度等参数。 一、霍尔效应原理 1、霍尔效应本质 运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引 起的偏转。如果在与电流垂直的方向加有磁场，样品中就会 引起一个横向的电势差，这个电势差方向与电流和磁场方向垂 直，这种现象就成为霍尔效应。 外加磁场Bz 由电磁场感生 的霍尔电场Ey 外加电流j x 2、霍尔效应中主要参数表达式 (⑴)霍尔电场Ey E RB j (3-15) y z x 2 2 n  p  R n n p p (3-16) (⑵)霍尔系数R q(n p  )2 n p R   n (3-17) 对于n型半导体，np n nq R   p (3-18) p 对于p型半导体，pn p q 其中, γ是霍尔因子——表征载流子在半导体材料体内的 碰撞，其大小与温度和杂质浓度有关 （图3－2），一般 取1. (3)霍尔电压 （霍尔电势差）UH UH Ey ws ws 为样品的宽度 Bz 霍尔电场 s w 度 宽 Ix 厚度ts 长度l 二、利用霍尔效应测量半导体电学参数 1、判断半导体的导电类型 2、确定样品的霍尔系数R 3、由霍尔系数进一步确定样品的载流子浓度 4、由霍尔系数和电导率进一步确定样品的 迁移率 1、判断半导体的导电类型 洛伦兹受力方向 F