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卢云鹏 董静 鞠旭东董明义 张建 刘荣光 谢万 欧阳群 4/24/2014 HEPS 二维硅像素阵列探测器 针对北京先进光源的实际需求和未来同步辐射探测器发展趋势，研制可同时满足空 间分辨、能量分辨、大的动态范围以及快速读出时间等需求的先进二维X射线硅像 素阵列探测器，是高能同步辐射光源 （HEPS）验证装置项目。 单光子计数型探测器 PILATUS探测器 目前最成功的硅像素阵列探测器 混合型硅像素探测器技术  广泛应用于衍射和散射实验  相对于CCD有明显优势： 噪声低，读出速度快，动 态范围大 4/24/2014 2 HEPS 二维硅像素阵列探测器(续) 总体设计指标: 灵敏面积： 80x80mm2 像素尺寸：150x150μm2 帧刷新率：1kHz 动态范围：20bits 能量范围：8－20keV 系统设计（核心） •硅sensor阵列 • 前端读出电子学 • 前端系统结构及封装 • 实时数据传输及处理 • 后端数据获取系统 4/24/2014 •机械结构及散热 3 HEPS 二维硅像素阵列探测器(续) Sensor设计参数:  N型高阻硅 （4 KΩ·cm），厚度300 μm  四边的死区宽度 （包括Guard Ring和切割边缘）不超过1.0mm  全耗尽电压70V，击穿电压150V  漏电流 （像素部分） 10nA/cm2 @ 100V Bias @ 20℃  电容 200fF/pixel 探测器module: 4.59 ×3.53 cm2 灵敏区面积：4.38 ×3.14cm2 灵敏区比例：85.3% ASIC/module数量: 2×4 Pixels/ASIC: 104×72